[发明专利]有机发光器件、显示装置以及制作方法

说明书

本发明公开了一种有机发光器件、显示装置以及制作方法，其中有机发光器件包括：层叠设置的基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，量子点发光层包括第一量子点和第二量子点，第二量子点的带隙宽度和第一量子点的带隙宽度的差值大于等于0.1eV并且小于等于1eV。本发明提供的实施例通过将量子点发光层设置成包括至少一种宽带隙的量子点和一种窄带隙的量子点，并限定二者的带隙差值，使得利用窄带隙的量子点发光并利用宽带隙的量子点作为间隔物在空间上隔离窄带隙的量子点，从而提高有机发光器件的发光效率，具有广泛的应用前景。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种有机发光器件、显示装置以及制作方法。

背景技术

量子点有机发光器件(QLED)，由于其具有高量子效率、高色纯度、低成本的溶液可加工性以及易于调节的发射波长的优势而引起了广泛的关注。它被认为是下一代照明和显示应用中的发光二极管(LED)的替代发光材料。

溶液中的量子点具有高的光热阈值量子产率(PLQY)，但是在薄膜中的量子点由于共振能量转移(FRET)的原因造成电致发光器件量子点效率低下，FRET是一种非辐射能量转移过程，如果供体和受体小于传输半径(通常10nm)能量通过偶极耦合从荧光供体转移到受体。在量子点发光层薄膜中，量子点之间的距离较短，量子点之间的非辐射FRET就会变得很高，通过点间FRET，激子可以迁移到附近量子点上，因此导致发射光谱的红移。随着红移发射，光子发光强度明显降低；量子点表面难免存在缺陷，激子转移到有缺陷的新点，有缺陷的点起着有效的淬火点的作用，可以迅速地淬灭周围量子点的激子，从而降低发光效率。

发明内容

为了解决上述问题至少之一，本发明第一个方面提供一种有机发光器件，其特征在于，包括层叠设置的基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中，

量子点发光层包括第一量子点和第二量子点，第二量子点的带隙宽度和第一量子点的带隙宽度的差值大于等于0.1eV并且小于等于1eV。

在一些可选的实施例中，第一量子点的HOMO能级低于空穴传输层的HOMO能级且高于第二量子点的HOMO能级，第一量子点的LUMO能级低于第二量子点的LUMO能级和电子传输层的LUMO能级。

在一些可选的实施例中，第二量子点为ZnCdS-ZnS、CdSe-ZnS和CdZnSeS-ZnS中的至少一种。

在一些可选的实施例中，

在第二量子点为ZnCdS-ZnS并且第一量子点为CdSe-CdS时，第二量子点与第一量子点浓度的比值为1：0.5；或者

在第二量子点为CdSe-ZnS并且第一量子点为CdSe-CdS时，第二量子点与第一量子点浓度的比值为1：0.3；或者

在第二量子点为CdZnSeS-ZnS并且第一量子点为CdSe-CdS时，第二量子点与第一量子点浓度的比值为1：0.3。

在一些可选的实施例中，有机发光器件还包括：

设置在空穴传输层与量子点发光层之间的电子阻挡层，和/或

设置在量子点发光层与电子传输层之间的空穴阻挡层。

在一些可选的实施例中，

空穴注入层与阳极间接触面的表面粗糙度小于电子传输层与阴极间接触面的表面粗糙度，和/或

第一量子点的粒径大于5nm且小于等于20nm，第二量子点的粒径大于5nm且小于等于20nm，和/或

量子点发光层的厚度为其中包括的量子点的粒径的1～3倍。

在一些可选的实施例中，