[发明专利]半导体晶片的检测方法

权利要求书

1.一种半导体晶片的检测方法，包含：

提供晶片，该晶片上定义有多个区域，该多个区域中至少包含有第一区域以及第二区域；

进行第一次光刻步骤，以曝露该多个区域中的该第一区域；

进行第一次离子注入步骤，在该第一区域内掺杂离子，其中该第一区域内具有第一离子注入浓度；

进行第二次光刻步骤，以曝露该多个区域中的该第二区域；

进行第二次离子注入步骤，在该第二区域内掺杂离子，其中该第二区域内具有第二离子注入浓度；以及

分别检测该第一区域与该第二区域的电性特征。

2.如权利要求1所述的检测方法，其中，该多个区域还包含有第三区域以及第四区域，且该检测方法还包含：

进行第三次光刻步骤，以曝露该多个区域中的该第三区域；

进行第三次离子注入步骤，在该第三区域内掺杂离子，其中该第一区域内具有第三离子注入浓度；

进行第四次光刻步骤，以曝露该多个区域中的该第四区域；

进行第四次离子注入步骤，在该第四区域内掺杂离子，其中该第四区域内具有第四离子注入浓度；

分别检测该第一区域、该第二区域、该第三区域与该第四区域的电性特征。

3.如权利要求2所述的检测方法，其中该第一离子注入浓度、该第二离子注入浓度、该第三离子注入浓度与该第四离子注入浓度各不相同。

4.如权利要求1所述的检测方法，其中，曝露该第一区域与该第二区域的方法包含：

在该晶片上全面性形成第一光致抗蚀剂层；

利用第一光掩模，以该第一次光刻步骤移除部分该第一光致抗蚀剂层，并且曝露该第一区域；

全面性移除该第一光致抗蚀剂层，并重新形成第二光致抗蚀剂层于该晶片上；

利用该第一光掩模，以该第二次光刻步骤移除部分该第二光致抗蚀剂层，并且曝露该第二区域。

5.如权利要求4所述的检测方法，其中，当该第二区域被曝露时，该第一区域被该第二光致抗蚀剂层所覆盖。

6.如权利要求1所述的检测方法，其中，曝露该第一区域与该第二区域的方法包含：

在该晶片上全面性形成第一光致抗蚀剂层；

进行该第一次光刻步骤，将一曝光光线聚焦在该第一区域内，并且将该第一区域内的该第一光致抗蚀剂层移除；

移除该第一光致抗蚀剂层，并且在该晶片上形成第二光致抗蚀剂层；

进行该第二次光刻步骤，将另一曝光光线聚焦在该第二区域内，并且将该第二区域内的该第二光致抗蚀剂层移除。

7.如权利要求1所述的检测方法，其中，分别检测该第一区域与该第二区域的电性特征的步骤包含：

分别在该第一区域与该第二区域内形成至少一电子元件；以及

分别对该第一区域与该第二区域内的该电子元件进行晶片允收测试(waferacceptance test,WAT)。

8.一种半导体晶片的检测方法，包含：

提供晶片，该晶片上定义有多个区域，该多个区域中至少包含有第一区域以及第二区域；

进行第一次光刻步骤，以第一曝光能量，曝露该多个区域中的该第一区域，并且在该第一区域内形成第一图案，其中该第一图案具有第一曝光极值；

进行第二次光刻步骤，以第二曝光能量，曝露该多个区域中的该第二区域，并且在该第二区域内形成第二图案，其中该第二图案具有第二曝光极值；以及

分别检测该第一区域与该第二区域的电性特征。

9.如权利要求8所述的检测方法，其中进行该第一次光刻步骤与进行该的二次光刻步骤时，使用同一光掩模。

10.如权利要求8所述的检测方法，其中，分别检测该第一区域与该第二区域的电性特征的步骤包含：

分别在该第一区域与该第二区域内形成至少一电子元件；以及

分别对该第一区域与该第二区域内的该电子元件进行晶片允收测试(waferacceptance test,WAT)。