[发明专利]半导体晶片的检测方法

说明书

本发明公开一种半导体晶片的检测方法，包含提供一晶片，该晶片上定义有多个区域，该多个区域中至少包含有一第一区域以及一第二区域，进行一第一次光刻步骤，以曝露该多个区域中的该第一区域，进行一第一次离子注入步骤，在该第一区域内掺杂离子，其中该第一区域内具有一第一离子注入浓度，进行一第二次光刻步骤，以曝露该多个区域中的该第二区域，进行一第二次离子注入步骤，在该第二区域内掺杂离子，其中该第二区域内具有一第二离子注入浓度，然后分别检测该第一区域与该第二区域的电性特征。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其是涉及一种测试晶片的步骤，可以降低晶片允收测试(wafer acceptance test,WAT)过程中的晶片损耗。

背景技术

半导体制作工艺中，在晶片(wafer)上进行多个步骤，以形成多种不同的电子元件在晶片上。为了确保电子元件的品质，经常会在晶片上的切割道(scribe line)上形成测试键(testkey)，然后对晶片上的电子元件进行晶片允收测试(wafer acceptance test,WAT)。

晶片允收测试的目的在于对晶片做初步的电性测量，以作为晶片品质保证的依据。其测试的电性参数，如电容、电压、电阻…等，可确保电子元件能否正常运作。因此通过测试晶片的电性参数来反应晶片在生产时是否有异常现象，及避免降低元件品质。

发明内容

本发明一种半导体晶片的检测方法，包含提供一晶片，该晶片上定义有多个区域，该多个区域中至少包含有一第一区域以及一第二区域，进行一第一次光刻步骤，以曝露该多个区域中的该第一区域，进行一第一次离子注入步骤，在该第一区域内掺杂离子，其中该第一区域内具有一第一离子注入浓度，进行一第二次光刻步骤，以曝露该多个区域中的该第二区域，进行一第二次离子注入步骤，于该第二区域内掺杂离子，其中该第二区域内具有一第二离子注入浓度，然后分别检测该第一区域与该第二区域的电性特征。

本发明一种半导体晶片的检测方法，包含提供一晶片，该晶片上定义有多个区域，该多个区域中至少包含有一第一区域以及一第二区域，进行一第一次光刻步骤，以一第一曝光能量，曝露该多个区域中的该第一区域，并且在该第一区域内形成一第一图案，其中该第一图案具有一第一曝光极值，进行一第二次光刻步骤，以一第二曝光能量，曝露该多个区域中的该第二区域，并且在该第二区域内形成一第二图案，其中该第二图案具有一第二曝光极值，分别检测该第一区域与该第二区域的电性特征。

本发明的特征在于，在进行晶片测试阶段时，为了减少晶片的耗损，可以将晶片分割成不同的区域，并且在不同的区域内，分别执行各自的制作工艺以及电性测试。因此，不同的区域可提供不同的测试参数与测量结果。如此一来，可以在同一晶片上测量到多组实验结果，降低晶片耗损并降低成本。

附图说明

图1为本发明检测半导体晶片过程中，半导体晶片的上视示意图；

图2A、图2B、图2C与图2D为本发明一实施例，检测半导体晶片过程中，进行光刻步骤与离子注入步骤循环时，半导体晶片的上视示意图；

图3A与图3B为本发明的另一实施例，检测不同的曝光能量对于不同区域的曝光极值的影响的半导体晶片上视图。

主要元件符号说明

10:半导体晶片

10A:第一区域

10B:第二区域

10C:第三区域

10D:第四区域

20A:掩模层

20B:掩模层

20C:掩模层

20D:掩模层

40:图案