[发明专利]电子束光刻机

说明书

一种电子束光刻机，包括真空装置、支撑架、光电阴极板、光线及光束引导装置、第一光源、第二光源、电磁透镜及硅片承载台，光电阴极板覆盖在光束引导腔体的上开口上，第一光线引导接收腔体、第二光线引导接收腔体设置在光束引导腔体的两侧，且靠近上开口，第一光源、第二光源对应的安装在第一光线引导接收腔体、第二光线引导接收腔体中，且第一光源、第二光源发射的光线照射在光电阴极板上，且从光电阴极板上反射的光线对应的射入第二光线引导接收腔体、第一光线引导接收腔体中，如此将反射光线导入对侧的光线引导接收腔体中，这样光电阴极板上的反射光就不会被反射到工作台的硅片上，能有效的防止了光电阴极板的反射光到光刻胶上产生有害曝光。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路刻蚀技术领域，特别涉及一种电子束光刻机。

背景技术

传统的光刻机使用光来制作集成电路，由于光波相对比较长，制作集成电路需要非常细的电路宽度，所以使用各种光源做光刻机都不能满足超大规模集成电路的实际需求，为了解决这一问题，通常的做法是使用光波更短的紫外光源，但是受光波的限制，制造超细集成电路还是不能满足实际需要。

针对现有技术的不足， 专利申请号为202010964981.7、名称为电子束半导体光刻机的中国发明专利申请给出了对应的解决方案：请同时参看图1，由电子束成像系统、真空室12、抽真空系统13、硅片进料仓4、硅片送料系统15、平台系统16、硅片出料系统17、硅片出料仓18、减震系统19、电源供电系统20、控制屏幕21、控制系统22组成。电子束成像系统中包括加速极板1、阴极基板2、含有掩膜图案的大面积光阴极3、聚焦调整磁体4、含有刻蚀图案的电子束5、聚焦和调整磁场6到8、含有阴极掩膜图案的聚焦缩小后的电子像9、把相应的图案刻制到半导体硅片10、带有照射光阴极的发光平台和硅片托板11。发射电子的阴极和带有加工图案的掩膜图案集成在一起，形成全新的带有加工图案的大面积阴极，带有加工图案的面阴极由可发射电子的光致发射电子材料制成，将光阴极做成大面积的掩膜图案形式，其特征是根据刻制的内容不同，制作更换相应的掩膜图案阴极，以光照射光阴极，光阴极发射出含有掩膜图案的光电子束，含有光阴极掩膜图案的电子束，再通过电场加速，磁场聚焦，磁场消像差，把发射的含有掩膜图案的电子像缩小，刻蚀到半导体等材料上。

然而上述现有技术存在如下技术问题：平台光源受硅片遮挡，影响光线均匀的照射其掩模板上，如果平台光源太强，造成硅片上的光刻胶有害曝光，平台光源太弱又不能产生足够的电子束，这个矛盾很难平衡。

发明内容

有鉴于此，提供一种不受硅片遮挡的电子束光刻机。

一种电子束光刻机，包括真空装置、支撑架、光电阴极板、光线及光束引导装置、第一光源、第二光源、电磁透镜及硅片承载台，支撑架、光电阴极板、光线及光束引导装置、第一光源、第二光源、电磁透镜及硅片承载台设置在真空装置中，光电阴极板、光线及光束引导装置、电磁透镜及硅片承载台固定在支撑架上，光线及光束引导装置位于硅片承载台上方，光线及光束引导装置包括光束引导腔体、第一光线引导接收腔体、第二光线引导接收腔体，光束引导腔体开设有上开口、下开口，上开口大于下开口且上开口与下开口相正对，光电阴极板覆盖在上开口上，第一光线引导接收腔体、第二光线引导接收腔体设置在光束引导腔体的两侧，且靠近上开口；第一光源、第二光源对应的安装在第一光线引导接收腔体、第二光线引导接收腔体中，且第一光源、第二光源发射的光线照射在光电阴极板上，且从光电阴极板上反射的光线对应的射入第二光线引导接收腔体、第一光线引导接收腔体中；光电阴极板在第一光源、第二光源的光线照射下产生成像电子束流；电磁透镜设置在光束引导腔体外侧，对光电阴极板产生的成像电子束流进行折射和汇聚，以使成像电子束流汇聚在硅片的光刻胶上，并进行曝光和显影。

优选的，光电阴极板的第一面制作有电路图案，光电阴极板的第一面上设有电路图案的部位涂有遮挡层，遮挡层在光源的照射下不产生电子束。

优选的，第一光源、第二光源为或X光、紫外线、激光、电子束流轰击中的任意一种。