[发明专利]用于检查图案缺陷的方法

权利要求书

1.一种用于检查图案缺陷的方法，所述方法包括：

在底层之上形成多个图案，所述多个图案彼此电隔离；

用电子束扫描所述多个图案的一部分以对所述多个图案进行充电；

获得从所述多个图案的经扫描部分发射的二次电子的强度；以及

搜索所述多个图案中的显示出与所述多个图案中的其他图案不同的二次电子的强度的一个或多个图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个图案包括线和间隔图案，所述线和间隔图案具有彼此间隔开设置的多个线图案。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述多个线图案是导电的，并且所述底层是绝缘的。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述多个线图案与所述底层相比更导电。

5.根据权利要求2所述的方法，其中：

所述多个图案包括缺陷，该缺陷为断线图案，并且

在扫描所述多个图案的所述一部分期间，所述电子束不扫描所述缺陷。

6.根据权利要求2所述的方法，其中：

所述多个图案包括缺陷，该缺陷为相邻线图案的桥接，并且

在扫描所述多个图案的所述一部分期间，所述电子束不扫描所述缺陷。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，当所述多个线图案中的每个线图案的整体长度是A1时，所述多个图案的所述一部分沿着所述多个线图案延伸的方向的长度A2在A1的1％到20％的范围内。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：当找到所述多个图案中的显示出与所述多个图案中的其他图案不同的二次电子的强度的一个图案时，获得所述多个图案中的所述一个图案的位置。

9.一种用于检查图案缺陷的方法，所述方法包括：

在底层之上形成多组多个图案，所述多个图案彼此电隔离；

用电子束扫描第一组多个图案的一部分以找到缺陷；

获得从所述第一组多个图案的经扫描部分发射的二次电子的强度；

搜索所述第一组中的所述多个图案中显示出与所述第一组中的所述多个图案中的其他图案不同的二次电子的强度的一个或多个图案；

当找到所述多个图案中显示出与所述多个图案中的其他图案不同的二次电子的强度的一个图案时，获得所述多个图案中的所述一个图案的位置；以及

用所述电子束扫描第二组多个图案的一部分以找到缺陷。

10.一种用于检测缺陷的测试器件，包括：

底层，设置在衬底之上；

多个线图案，设置在所述底层之上并且彼此电隔离，

其中，所述多个线图案与所述底层相比更导电，并且

所述多个线图案包括作为断线图案的缺陷、或作为相邻线图案的桥接的缺陷中的至少一者。