[发明专利]用于检查图案缺陷的方法

说明书

本公开涉及用于检查图案缺陷的方法。在一种用于检查图案缺陷的方法中，在底层之上形成多个图案。多个图案彼此电隔离。用电子束扫描多个图案的一部分以使多个图案带电。获得从多个图案的经扫描部分发射的二次电子的强度。搜索多个图案中的显示出与多个图案中的其他图案不同的二次电子的强度的一个或多个图案。

技术领域

本公开涉及用于检查图案缺陷的方法。

背景技术

缺陷检查是半导体制造操作的重要方面。随着半导体工业为了追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本而进入了纳米技术工艺节点，缺陷检查变得更加困难。具体地，在使用极紫外(EUV)缺陷检查工具的纳米技术工艺节点中，缺陷捕获率会随着尺寸的缩小而降低。因此，已经研究了包括膜堆叠、检查工具、工艺和布局设计在内的缺陷检查改进，以提高缺陷捕获率。

发明内容

根据本公开的一个方面，提供了一种用于检查图案缺陷的方法，所述方法包括：在底层之上形成多个图案，所述多个图案彼此电隔离；用电子束扫描所述多个图案的一部分以对所述多个图案进行充电；获得从所述多个图案的经扫描部分发射的二次电子的强度；以及搜索所述多个图案中的显示出与所述多个图案中的其他图案不同的二次电子的强度的一个或多个图案。

根据本公开的另一方面，提供了一种用于检查图案缺陷的方法，所述方法包括：在底层之上形成多组多个图案，所述多个图案彼此电隔离；用电子束扫描第一组多个图案的一部分以找到缺陷；获得从所述第一组多个图案的经扫描部分发射的二次电子的强度；搜索所述第一组中的所述多个图案中显示出与所述第一组中的所述多个图案中的其他图案不同的二次电子的强度的一个或多个图案；当找到所述多个图案中显示出与所述多个图案中的其他图案不同的二次电子的强度的一个图案时，获得所述多个图案中的所述一个图案的位置；以及用所述电子束扫描第二组多个图案的一部分以找到缺陷。

根据本公开的又一方面，提供了一种用于检测缺陷的测试器件，包括：底层，设置在衬底之上；多个线图案，设置在所述底层之上并且彼此电隔离，其中，所述多个线图案与所述底层相比更导电，并且所述多个线图案包括作为断线图案的缺陷、或作为相邻线图案的桥接的缺陷中的至少一者。

附图说明

在结合附图阅读下面的具体实施方式时，可以从下面的具体实施方式中最佳地理解本公开的各个方面。注意，根据行业的标准做法，各种特征不是按比例绘制的。事实上，为了讨论的清楚起见，各种特征的尺寸可能被任意增大或减小。

图1A示出了根据本公开实施例的过程控制模块(PCM)，并且图1B示出了根据本公开实施例的PCM中的缺陷检查图案的布局。图1C和图1D示出了根据本公开实施例的缺陷检查图案的横截面视图。

图2示出了根据本公开实施例的使用电子束来检测缺陷的操作。

图3A和图3B示出了根据本公开实施例的使用电子束来检测缺陷的操作。

图4A和图4B示出了根据本公开实施例的使用电子束来检测缺陷的操作。

图5A和图5B示出了根据本公开实施例的用于电子束缺陷检查的缺陷检查图案。

图6A和图6B示出了根据本公开实施例的用于电子束缺陷检查的缺陷检查图案。

图7是示出根据本公开实施例的缺陷检查的流程图。

图8是示出根据本公开实施例的缺陷检查操作和装置维护操作的流程图。

图9A和图9B示出根据本公开实施例的缺陷检查系统。

具体实施方式