[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

准备工序，准备功率半导体芯片、引线框架、以及半固化状态的绝缘片，该引线框架包括晶片焊盘部、以及与所述晶片焊盘部一体地连接的端子部；

安装工序，在所述晶片焊盘部的正面配置所述功率半导体芯片，并进行布线；

密封工序，以使所述端子部突出并露出所述晶片焊盘部的背面的方式，利用半固化状态的密封原料来密封所述引线框架和所述功率半导体芯片而形成半固化单元；

压接工序，将所述绝缘片的正面与所述半固化单元的背面压接而覆盖所述晶片焊盘部的背面；以及

固化工序，对所述半固化单元和所述绝缘片进行加热而使其固化。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在执行了所述压接工序后，

将压接有所述绝缘片的所述半固化单元搬送到加热装置，利用所述加热装置执行所述固化工序。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述压接工序将所述半固化单元按压在经加热的状态下的所述绝缘片。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述固化工序在无加压的状态下对压接有所述绝缘片的所述半固化单元进行加热。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述密封原料和所述绝缘片包括半固化状态的热固化性树脂、以及无机填料。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述密封原料的所述热固化性树脂和所述绝缘片的所述热固化性树脂都以环氧树脂为主要成分。

7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述密封原料的所述无机填料以氧化硅为主要成分，所述绝缘片的所述无机填料以从包括氧化铝、氮化铝、氮化硅、以及氮化硼的组中选择的至少一个为主要成分。

8.一种半导体装置，其特征在于，具有：

引线框架，其包括晶片焊盘部、以及与所述晶片焊盘部一体地连接的端子部；

功率半导体芯片，其配置在所述晶片焊盘部的正面；

密封部件，其以使所述端子部突出并露出所述晶片焊盘部的背面的方式密封所述引线框架和所述功率半导体芯片；以及

绝缘片，其被设置为覆盖从所述密封部件的背面露出的所述晶片焊盘部的背面，并且相对于所述密封部件的背面构成高度差。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述密封部件和所述绝缘片包括热固化性树脂、以及无机填料。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述密封部件的所述热固化性树脂与所述绝缘片的所述热固化性树脂都以环氧树脂为主要成分。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述密封部件的所述无机填料以氧化硅为主要成分，所述绝缘片的所述无机填料以从包括氧化铝、氮化铝、氮化硅、以及氮化硼的组中选择的至少一个为主要成分。

12.根据权利要求8至11中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶片焊盘部的背面与所述密封部件的背面呈同一平面。

13.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述密封部件的背面比所述晶片焊盘部的背面更向外侧突出。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，

所述密封部件的背面与所述绝缘片的背面为同一面，或者，所述密封部件的背面比所述绝缘片的背面更向外侧突出。

15.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶片焊盘部的厚度比所述端子部的厚度厚。