[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

说明书

本发明提供削减制造成本并进行特性改善的半导体装置的制造方法以及半导体装置。在主电流引线框架(41a)的晶片焊盘部(41a1)的正面配置第一、第二半导体芯片(21a、21b)，进行布线。接着，以使主电流引线框架(41a)的端子部(41a3)突出，露出晶片焊盘部(41a1)的背面的方式，利用半固化状态的密封原料密封主电流引线框架(41a)和第一、第二半导体芯片(21a、21b)而形成半固化单元。并且，将绝缘片(70)的正面与半固化单元的背面压接，覆盖主电流引线框架(41a)的晶片焊盘部(41a1)的背面。在这样的制造方法中绝缘片(70)不会翘起，并且无论成形模具的规格如何都能够安装绝缘片(70)。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置的制造方法以及半导体装置。

背景技术

半导体装置包括功率半导体芯片和控制IC(Integrated Circuit：集成电路)、配置有该半导体芯片和控制IC的晶片焊盘、以及设置在晶片焊盘的背面的绝缘片，并且所述半导体装置被密封部件密封。功率半导体芯片使用功率设备的开关元件。开关元件是例如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应管)。控制IC进行该功率半导体芯片的驱动控制。在该半导体装置中，从功率半导体芯片和控制IC发出的热量经由晶片焊盘而从绝缘片散热。

这样的半导体装置经由以下工序而被制造。首先，在晶片焊盘配置功率半导体芯片和电子部件，在预先装配到模具内的绝缘片上配置该晶片焊盘。在利用按针将晶片焊盘向绝缘片侧按压的同时将密封树脂填充到模具内并拔出按针，使密封树脂在模具内固化。拆下模具则得到半导体装置(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-123495号公报

发明内容

技术问题

但是，在上述半导体装置的制造方法中，由于利用按针将晶片焊盘按压到绝缘片，所以导致随着离开按针而在晶片焊盘与绝缘片之间产生翘起。在该状态下被密封的半导体装置有可能导致散热性降低，导致可靠性降低。另外，装配于模具内的绝缘片必须根据模具的规格而改变其形状、大小等。因此，绝缘片的规格也必须按每个模具来重新修改。此外，用于将绝缘片装配到模具内的搬送机构复杂且昂贵。由此，导致用于制造半导体装置的制造成本增加。

本发明是鉴于这点而做出的，其目的在于，提供一种在抑制制造成本的增加的同时防止散热性的降低的半导体装置的制造方法以及半导体装置。

技术方案

根据本发明的一个观点，提供一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置的制造方法包括：准备工序，准备功率半导体芯片、引线框架、以及半固化状态的绝缘片，该引线框架包括晶片焊盘部、以及与所述晶片焊盘部一体地连接的端子部；安装工序，在所述晶片焊盘部的正面配置所述功率半导体芯片，并进行布线；密封工序，以使所述端子部突出并露出所述晶片焊盘部的背面的方式，利用半固化状态的密封原料来密封所述引线框架和所述功率半导体芯片而形成半固化单元；压接工序，将所述绝缘片的正面与所述半固化单元的背面压接而覆盖所述晶片焊盘部的背面；以及固化工序，对所述半固化单元和所述绝缘片进行加热而使其固化。

另外，根据本发明的一个观点，提供一种半导体装置，所述半导体装置具有：引线框架，其包括晶片焊盘部、以及与所述晶片焊盘部一体地连接的端子部；功率半导体芯片，其配置在所述晶片焊盘部的正面；密封部件，其以使所述端子部突出，并露出所述晶片焊盘部的背面的方式密封所述引线框架和所述功率半导体芯片；以及绝缘片，其被设置为覆盖从所述密封部件的背面露出的所述晶片焊盘部的背面，并且相对于所述密封部件的背面构成高度差。

技术效果