[发明专利]紫外发光二极管外延片及其制造方法

权利要求书

1.一种紫外发光二极管外延片，所述紫外发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂的AlGaN层、N型层、有源层和P型层，其特征在于，

所述紫外发光二极管还包括设置在所述有源层和所述P型层之间的电子限制层，所述电子限制层为依次层叠在所述有源层上的AlGaN/MgN/InAlGaN/Mg N/AlN结构。

2.根据权利要求1所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述电子限制层中的AlGaN层的厚度大于InAlGaN层的厚度，InAlGaN层的厚度大于MgN层的厚度，AlGaN层的厚度大于AlN层的厚度，AlN层的厚度大于MgN层的厚度。

3.根据权利要求2所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述电子限制层中的AlGaN层的厚度为50～500nm，所述电子限制层中的MgN层的厚度为1～10nm，所述电子限制层中的InAlGaN层的厚度为1～20nm，所述电子限制层中的AlN层的厚度为10～50nm。

4.根据权利要求3所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述紫外发光二极管还包括设置在所述N型层和所述有源层之间的空穴限制层，所述空穴限制层为依次层叠在所述N型层上的AlN/SiN/InAlGaN/SiN/AlGaN结构。

5.根据权利要求4所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述空穴限制层中的AlGaN层的厚度大于InAlGaN层的厚度，InAlGaN层的厚度大于SiN层的厚度，AlGaN层的厚度大于AlN层的厚度，AlN层的厚度大于SiN层的厚度。

6.根据权利要求5所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述空穴限制层中的AlGaN层的厚度为50～500nm，所述空穴限制层中的SiN层的厚度为1～10nm，所述空穴限制层中的InAlGaN层的厚度为1～20nm，所述空穴限制层中的AlN层的厚度为10～50nm。

7.一种紫外发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂的AlGaN层、N型层和有源层；

在所述有源层上生长电子限制层，所述电子限制层为依次层叠在所述有源层上的AlGaN/MgN/InAlGaN/MgN/AlN结构；

在所述电子限制层上生长P型层。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述电子限制层中的AlGaN层的生长温度为900～1100℃，生长压力为50～150torr，所述电子限制层中的MgN层的生长温度为900～1100℃，生长压力为50～150torr，所述电子限制层中的InAlGaN的生长温度为800～900℃，生长压力为50～200torr，所述电子限制层中的AlN层的生长温度为900～1100℃，生长压力为50～150torr。

9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

在所述N型层和所述有源层之间生长空穴限制层，所述空穴限制层为依次层叠在所述N型层上的AlN/SiN/InAlGaN/SiN/AlGaN层。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述空穴限制层中的AlGaN层的生长温度为900～1100℃，生长压力为50～150torr，所述空穴限制层中的SiN层的生长温度为900～1100℃，生长压力为50～150torr，所述空穴限制层中的InAlGaN的生长温度为800～900℃，生长压力为50～200torr，所述空穴限制层中的AlN层的生长温度为900～1100℃，生长压力为50～150torr。