[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)提供衬底，所述衬底包括半导体衬底、形成在所述半导体衬底上的绝缘层、形成在所述绝缘层上的半导体层、以及经由栅极绝缘膜形成在所述半导体层上的栅极电极；

(b)在步骤(a)之后，通过外延生长法在位于所述栅极电极的两侧的所述半导体层上形成外延层；

(c)在步骤(b)之后，通过硅化所述外延层，在所述外延层中形成金属硅化物层；

(d)在步骤(c)之后，在所述衬底上形成层间绝缘膜以覆盖所述栅极电极和所述金属硅化物层；

(e)在步骤(d)之后，在所述层间绝缘膜上形成第一绝缘膜；

(f)在步骤(e)之后，在所述第一绝缘膜和所述层间绝缘膜中的每一个的与所述金属硅化物层重叠的部分处形成开口；

(g)在步骤(f)之后，在所述开口的底部和所述开口的侧表面中的每一个处、以及在所述第一绝缘膜的上表面上，形成第二绝缘膜；

(h)在步骤(g)之后，通过蚀刻去除以下中的每一个：形成在所述开口的所述底部处的所述第二绝缘膜，以及形成在所述第一绝缘膜的所述上表面上的所述第二绝缘膜；

(i)在步骤(h)之后，在如下状态下蚀刻所述开口的内部：所述层间绝缘膜的上表面被所述第一绝缘膜覆盖，并且所述开口的所述侧表面作为所述层间绝缘膜的侧表面被所述第二绝缘膜覆盖；以及

(j)在步骤(i)之后，在所述开口的内部形成由导电材料组成的插塞，

其中步骤(i)在如下条件下被执行：与所述绝缘层相比，所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜和所述金属硅化物层中的每一个被更少地蚀刻。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中步骤(i)在如下条件下被执行：与所述层间绝缘膜相比，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜中的每一个被更少地蚀刻。

3.根据权利要求2所述的方法，

其中步骤(i)通过以下中的一项来执行：使用氢氟酸进行湿法蚀刻，和使用碳氟化合物进行干法蚀刻。

4.根据权利要求3所述的方法，

其中所述绝缘层由第一厚度组成，

其中所述第一厚度等于或大于10nm并且等于或小于30nm，并且

其中步骤(i)在如下条件下被执行：至少所述绝缘层的所述第一厚度被蚀刻。

5.根据权利要求1所述的方法，

其中所述绝缘层和所述层间绝缘膜由彼此相同的材料构成。

6.根据权利要求5所述的方法，

其中所述绝缘层和所述层间绝缘膜中的每一个由氧化硅制成。

7.根据权利要求1所述的方法，

其中所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜由彼此相同的材料构成。

8.根据权利要求7所述的方法，

其中所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜中的每一个由氮化硅制成。

9.根据权利要求1所述的方法，

其中步骤(i)通过各向异性干法蚀刻来执行。

10.根据权利要求1所述的方法，

其中如果所述绝缘层通过步骤(h)未在所述开口的所述底部处露出，则位于所述开口下方的所述绝缘层在步骤(i)中未被蚀刻，以及

其中如果所述绝缘层通过步骤(h)在所述开口的所述底部处露出，则位于所述开口下方的所述绝缘层在步骤(i)中被蚀刻，从而所述半导体衬底被露出。