[发明专利]一种复合式钝化膜及其制作方法在审
| 申请号： | 202110104053.8 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN113436959A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 周炳;王源政;闵财荣;周兵兵 | 申请（专利权）人： | 德兴市意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 334200 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 钝化 及其 制作方法 | ||
1.一种复合式钝化膜的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
获取的包含硅分子的平面结构器件；
在所述平面结构器件上平铺第一钝化层，所述第一钝化层为氧化硅层；
在所述第一钝化层上平铺第二钝化层，所述第二钝化层为磷硅层；
在所述第二钝化层上平铺第三钝化层，所述第三钝化层为氮硅层；
在所述第三钝化层上平铺绝缘薄膜。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述平面结构器件为只包含硅分子。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一钝化层为二氧化硅层。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二钝化层为PSG层。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第三钝化层为Si3N4层。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述绝缘薄膜为PI层。
7.一种复合式钝化膜，应用于包含硅分子的平面结构器件，其特征在于，所述复合式钝化膜包括：
平铺于所述平面结构器件上的第一钝化层，所述第一钝化层为氧化硅层；
平铺于所述第一钝化层上平铺第二钝化层，所述第二钝化层为磷硅层；
平铺于所述第二钝化层上平铺第三钝化层，所述第三钝化层为氮硅层；
平铺于所述第三钝化层上平铺绝缘薄膜。
8.根据权利要求7所述的复合式钝化膜，其特征在于，所述第一钝化层为二氧化硅层。
9.根据权利要求7所述的复合式钝化膜，其特征在于，所述第二钝化层为PSG层。
10.根据权利要求7所述的复合式钝化膜，其特征在于，所述第三钝化层为Si3N4层。
11.根据权利要求7所述的复合式钝化膜，其特征在于，所述绝缘薄膜为PI层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
