[发明专利]一种复合式钝化膜及其制作方法

说明书

本发明涉及一种复合式钝化膜及其制作方法，所述方法包括：获取的包含硅分子的平面结构器件；在所述平面结构器件上平铺第一钝化层，所述第一钝化层为氧化硅层；在所述第一钝化层上平铺第二钝化层，所述第二钝化层为磷硅层；在所述第二钝化层上平铺第三钝化层，所述第三钝化层为氮硅层；在所述第三钝化层上平铺绝缘薄膜。本发明可以为平面硅结构器件提供更好的钝化保护。

技术领域

本发明涉及一种工业应用的钝化膜，特别是涉及一种应用于平面硅结构的复合式钝化膜及其制作方法。

背景技术

表面钝化技术是半导体器件制造过程中的重要工艺环节，对器件的电学特性和可靠性有重要影响。目前常用的一些钝化材料有二氧化硅、磷硅玻璃、氮化硅、氮氧化硅、三氧化二铝、半绝缘多晶硅、聚酰亚胺(PI)、玻璃料等。

但是，现有的表面钝化技术所形成的钝化膜与硅之间的粘附性不好，容易导致钝化膜脱落，并且钝化膜之中层与层之间存在较大应力，导致钝化膜的功能失效，难以对器件的电学特性进行更好的保护。

发明内容

基于此，有必要针对目前钝化膜与硅的粘附性不好等问题，提供一种复合式钝化膜及其制作方法。

一种复合式钝化膜的制作方法，所述方法包括：

获取的包含硅分子的平面结构器件；

在所述平面结构器件上平铺第一钝化层，所述第一钝化层为氧化硅层；

在所述第一钝化层上平铺第二钝化层，所述第二钝化层为磷硅层；

在所述第二钝化层上平铺第三钝化层，所述第三钝化层为氮硅层；

在所述第三钝化层上平铺绝缘薄膜。

在其中一个实施例中，所述平面结构器件为只包含硅分子。

在其中一个实施例中，所述第一钝化层为二氧化硅层。

在其中一个实施例中，所述第二钝化层为PSG层。

在其中一个实施例中，所述第三钝化层为Si3N4层。

在其中一个实施例中，所述绝缘薄膜为PI层。

一种复合式钝化膜，应用于包含硅分子的平面结构器件，所述复合式钝化膜包括：

平铺于所述平面结构器件上的第一钝化层，所述第一钝化层为氧化硅层；

平铺于所述第一钝化层上平铺第二钝化层，所述第二钝化层为磷硅层；

平铺于所述第二钝化层上平铺第三钝化层，所述第三钝化层为氮硅层；

平铺于所述第三钝化层上平铺绝缘薄膜。

在其中一个实施例中，所述第一钝化层为二氧化硅层。

在其中一个实施例中，所述第二钝化层为PSG层。

在其中一个实施例中，所述第三钝化层为Si3N4层。

在其中一个实施例中，所述绝缘薄膜为PI层。

本发明中，第一钝化层为氧化硅层，可以为器件提供了最初的保护，能与硅之间实现很好的粘附，并能降低与其他钝化层之间的界面应力，为后续各层钝化膜的淀积和功能实现提供基础；淀积形成的中间层磷硅层和氮硅层分别具有吸收和隔离外部杂质离子的作用；最上面的绝缘薄膜层则能够为下方各钝化层乃至整个器件起到综合性保护作用。该类结构能使器件承受高电压并保持很低的漏电流。

附图说明

图1为一实施例的复合钝化膜的结构图。

具体实施方式