[发明专利]像素驱动电路及显示面板

说明书

本申请实施例公开了一种像素驱动电路及显示面板，本申请实施例采用8T1C结构的像素驱动电路，通过在7T1C的像素电路基础上，增加氧化物晶体管变为8T1C，利用氧化物的低漏电特性在一帧时间内抑制Q点电位变化，通过两三颗氧化物晶体管控制漏电，实现高画质显示，低频低功耗的效果。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种像素驱动电路及显示面板。

背景技术

随着多媒体的发展，显示装置变得越来越重要。相应地，对各种类型的显示装置的要求越来越高，尤其是智能手机领域，超高频驱动显示，低功耗驱动显示，以及低频驱动显示都是现阶段和未来的发展需求方向。

P-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS)广泛用作显示装置的晶体管，手机领域广泛应用低温多晶硅(LTPS)。然而，LTPS存在一个致命弱点就是漏电流较大，尤其是在低频显示时闪烁(flicker)严重。

因此，现有技术需要改进。

发明内容

本申请实施例提供一种像素驱动电路及显示面板，以实现低频低功耗的像素电路设计。

本申请实施例提供的一种像素驱动电路，包括：

第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、电容以及发光器件；

所述第一晶体管的栅极电性连接于第一节点，所述第一晶体管的源极电性连接于第二节点，所述第一晶体管的漏极电性连接于第三节点；

所述第四晶体管的栅极电性连接于第二控制信号，所述第四晶体管的源极电性连接于输入信号，所述第四晶体管的漏极电性连接于所述第四节点；

所述第五晶体管的栅极电性连接于发光控制信号，所述第五晶体管的源极电性连接于第一电源信号，所述第五晶体管的漏极电性连接于所述第二节点；

所述第六晶体管的栅极电性连接于所述发光控制信号，所述第六晶体管的源极电性连接于所述第三节点，所述第六晶体管的漏极电性连接于所述发光器件的阳极端；

所述第八晶体管的栅极电性连接于第三控制信号，所述第八晶体管的漏极电性连接于所述第一节点，所述第八晶体管的源极电性连接于所述第四节点；

所述电容的第一端电性连接于所述第一电源节点，所述第一电容的第二端电性连接于所述第一节点；

所述发光器件的阴极端电性连接于第二电源信号。

在本申请所述的像素驱动电路中，所述第二晶体管的栅极电性连接于第一控制信号，所述第二晶体管的源极电性连接于数据信号，所述第二晶体管的漏极电性连接于所述第二节点；所述第三晶体管的栅极电性连接于所述第一控制信号，所述第三晶体管的源极电性连接于所述第四节点，所述第三晶体管的漏极电性连接于所述第三节点；所述第七晶体管的栅极电性连接于所述第二控制信号，所述第七晶体管的源极电性连接于所述第四节点或所述输入信号，所述第七晶体管的漏极电性连接于所述发光器件的阳极端。

在本申请所述的像素驱动电路中，所述第一控制信号、所述第二控制信号、所述第三控制信号以及所述发光控制信号相组合先后对应于阳极初始化阶段、静态工作点初始化阶段以及补偿阶段。

在本申请所述的像素驱动电路中，在所述阳极初始化阶段，所述第一控制信号为高电位，所述第二控制信号为高电位，所述第三控制信号为低电位跳变至高电位，所述发光控制信号为高电位。

在本申请所述的像素驱动电路中，在所述静态工作点初始化阶段，所述第一控制信号为高电位，所述第二控制信号为高电位，所述第三控制信号为高电位，所述发光控制信号为高电位。