[发明专利]一种硅晶圆结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110104908.7 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112786676A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 徐建卫;汪鹏;李蜀文 | 申请（专利权）人： | 赫芯（浙江）微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L21/02;B28D5/04 |
| 代理公司： | 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 | 代理人： | 王奎宇;杨孟娟 |
| 地址： | 314214 浙江省嘉兴市平湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅晶圆 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种硅晶圆结构，其特征在于，包括：切割面以及111腐蚀面，所述切割面和所述111腐蚀面的夹角为45°。
2.根据权利要求1所述的硅晶圆结构，其特征在于，所述切割面以110平边按照顺时针偏离100面9.74°。
3.根据权利要求1所述的硅晶圆结构，其特征在于，所述切割面以110平边按照逆时针偏离100面9.74°。
4.根据权利要求1所述的硅晶圆结构，其特征在于，所述切割面以垂直于110平边的方向为轴线，偏离100面9.74°。
5.根据权利要求4所述的硅晶圆结构，其特征在于，所述偏离的方向是顺时针方向或逆时针方向。
6.根据权利要求1所述的硅晶圆结构，其特征在于，所述硅晶圆掺杂为N型或P型。
7.根据权利要求1所述的硅晶圆结构，其特征在于，所述110平边可由SEMI标准的定位槽替代。
8.根据权利要求1至7任一项所述的硅晶圆结构，其特征在于，所述111腐蚀面还蒸镀有金层。
9.根据权利要求1至7任一项所述的硅晶圆结构，其特征在于，所述金层的厚度为0.4-0.6μm。
10.一种如权利要求1至9任一项所述的硅晶圆结构的制造方法，其特征在于，采用100晶向生长的硅单晶棒，偏离100面9.74°切割形成切割面；腐蚀得到非对称的111腐蚀面，其中一111腐蚀面与所述切割面的夹角为45°。
11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，在上述的偏离100面9.74°切割形成切割面中，包括：以110平边按照顺时针或逆时针偏离100面9.74°形成所述切割面。
12.根据权利要求10或11所述的制造方法，其特征在于，在上述的腐蚀得到非对称的111腐蚀面中，包括：将掩膜平行或垂直与所述110平边，采用碱性溶液腐蚀得到非对称的111腐蚀面。
13.根据权利要求10或11所述的制造方法，其特征在于，还包括：在所述111腐蚀面上蒸镀0.4-0.6μm的金层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赫芯（浙江）微电子科技有限公司，未经赫芯（浙江）微电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110104908.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种农业用播种施肥一体机
- 下一篇：一种有色锦纶6细旦热熔丝及其制备工艺
- 同类专利
- 专利分类
