[发明专利]一种硅晶圆结构及其制造方法在审

申请号：	202110104908.7	申请日：	2021-01-26
公开（公告）号：	CN112786676A	公开（公告）日：	2021-05-11
发明（设计）人：	徐建卫;汪鹏;李蜀文	申请（专利权）人：	赫芯（浙江）微电子科技有限公司
主分类号：	H01L29/04	分类号：	H01L29/04;H01L21/02;B28D5/04
代理公司：	上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243	代理人：	王奎宇;杨孟娟
地址：	314214 浙江省嘉兴市平湖***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	一种硅晶圆结构及其制造方法
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【说明书】：

本申请公开了一种硅晶圆结构及其制造方法，该硅晶圆结构包括：切割面以及111腐蚀面，所述切割面和所述111腐蚀面的夹角为45°。该制造方法，包括采用100晶向生长的硅单晶棒，偏离100面9.74°切割形成切割面；腐蚀得到非对称的111腐蚀面，其中一111腐蚀面与所述切割面的夹角为45°。本申请形成一切割面，然后在腐蚀形成111腐蚀面，克服了现有技术中111面和100面夹角是54.74°而非45°的问题，实现了切割面和111腐蚀面的夹角为45°的要求，可获得45°反射镜，满足市场使用需求。

技术领域

本申请属于硅晶圆技术领域，涉及湿法腐蚀制作45°反射镜，具体涉及一种硅晶圆结构及其制造方法。

背景技术

45°反射镜在光学系统中广泛应用，起到光路90°转换的作用。在硅光子集成芯片中，45°反射镜可以将波导中的光垂直反射出芯片，因为集成需求，所以硅腐蚀45°反射镜有很高的应用价值。在硅晶体中，100面与110面夹角是45°。大量文献实验都是基于100面的硅晶圆和110面的硅晶圆，通过调整腐蚀液配方，腐蚀温度等条件，得到100面和110面的45°作为反射镜。但是因为110面和100面腐蚀速率选择比不高，镜面无法避免腐蚀坑。常规湿法腐蚀前通常采100晶面硅片，利用100面和111面的高选择比，一般大于100：1，腐蚀出斜面111面。111面的腐蚀效果稳定且光滑，可做为光学反射镜面使用，但是111面和100面夹角是54.74°，不满足45°的要求。

发明内容

针对上述现有技术的缺点或不足，本申请要解决的技术问题是提供一种硅晶圆结构及其制造方法。

为解决上述技术问题，本申请通过以下技术方案来实现：

本申请一方面提出了一种硅晶圆结构，包括：切割面以及111腐蚀面，所述切割面和所述111腐蚀面的夹角为45°。

可选地，上述的硅晶圆结构，其中，所述切割面以110平边按照顺时针偏离100面9.74°。

可选地，上述的硅晶圆结构，其中，所述切割面以110平边按照逆时针偏离100面9.74°。

可选地，上述的硅晶圆结构，其中，所述切割面以垂直于110平边的方向为轴线，偏离100面9.74°。

可选地，上述的硅晶圆结构，其中，所述偏离的方向是顺时针方向或逆时针方向。

可选地，上述的硅晶圆结构，其中，所述硅晶圆掺杂为N型或P型。

可选地，上述的硅晶圆结构，其中，所述110平边可由SEMI(SemiconductorEquipment and Materials International，国际半导体产业协会)标准的定位槽替代。

可选地，上述的硅晶圆结构，其中，所述111腐蚀面还蒸镀有金层。

可选地，上述的硅晶圆结构，其中，所述金层的厚度为0.4-0.6μm。