[发明专利]一种测量套刻误差的方法及测试结构

权利要求书

1.一种用于测量套刻误差的测试结构，其特征在于，

所述测试结构包括第一光罩和第二光罩，所述第一光罩包括若干个第一图形，所述第二光罩包括若干个第二图形，所述第一光罩和第二光罩按预置套刻偏移量交叉叠加组合；

所述第一图形连接形成正极板、所述第二图形连接形成负极板；或所述第一图形连接形成负极板、所述第二图形连接形成正极板；

将所述正极板和负极板分别连线形成正测试端和负测试端。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一图形和/或第二图形是单独图形或其组合。

3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述第一图形为栅结构图形或其组合，所述第二图形为金属线图形或其组合。

4.根据权利要求1-3任一项所述的测试结构，其特征在于，所述预置套刻偏移量为零偏移量、左偏移量或右偏移量；所述零偏移量表示所述测试结构中的第二光罩相对于第一光罩位置对准，偏移量为0；所述左偏移量表示所述测试结构中第二光罩相对于第一光罩的位置向左偏移的偏移量，所述右偏移量表示所述测试结构中第二光罩相对于第一光罩的位置向右偏移的偏移量。

5.一种测量套刻误差的方法，其特征在于，采用N个权利要求1-4任一项所述的测试结构，且N个所述测试结构分别具有不同的预置套刻偏移量，其中，N为不小于3的整数；所述测量套刻误差的方法包括测量各测试结构的电容值，并将测量的电容值在坐标系中拟合形成曲线图，所述曲线图的纵坐标轴对应于各测试结构测量的电容值，横坐标轴对应于各测试结构中所述预置套刻偏移量，确定所述曲线图的谷值点，根据所述谷值点确定晶圆的真实套刻误差。

6.根据权利要求5所述的测量套刻误差的方法，其特征在于，

所述预置套刻偏移量为零偏移量、左偏移量或右偏移量；所述零偏移量表示所述测试结构中的第二光罩相对于第一光罩位置对准，偏移量为0；所述左偏移量表示所述测试结构中第二光罩相对于第一光罩的位置向左偏移的偏移量，所述右偏移量表示所述测试结构中第二光罩相对于第一光罩的位置向右偏移的偏移量；

将预置套刻偏移量为零偏移量的测试结构作为中心测试结构；将预置套刻偏移量为左偏移量的测试结构构成第一测试结构群，所述第一测试结构群的各测试结构中的左偏移量以步长值递增；将预置套刻偏移量为右偏移量的测试结构构成第二测试结构群，所述第二测试结构群的各测试结构中的右偏移量以步长值递增；

其中，横坐标的原点对应于中心测试结构的零偏移量，横坐标的左半轴数值的绝对值对应于第一测试结构群中测试结构的预置的左偏移量，横坐标的右半轴的数值对应于第二测试结构群中测试结构的预置的右偏移量；

确定所述曲线图的谷值点，其中，所述谷值点对应的横坐标值为M，若M为负数，则表示因第一光罩和第二光罩形成的晶圆的真实套刻误差为向右偏移|M|；若M为正数，则表示因第一光罩和第二光罩形成的晶圆的真实套刻误差为向左偏移M。

7.根据权利要求6所述的测量套刻误差的方法，其特征在于，形成多组测试结构，所述多组测试结构采用的所述步长值不同，测量所述多组测试结构的套刻误差，以所述多组测试结构的套刻误差的均值作为最终的套刻误差值。

8.根据权利要求6所述的测量套刻误差的方法，其特征在于，所述步长值在0.1nm-20nm范围内。

9.根据权利要求5-8任一项所述的测量套刻误差的方法，其特征在于，所述正极板和负极板间的距离在1nm-10nm范围内。

10.根据权利要求5-8任一项所述的测量套刻误差的方法，其特征在于，所述测量各测试结构的电容值时所采用的方法为LCR测量法、基于电荷的电容测量方法或基于正交时钟的电压电容测量法三种中的任意一种。