[发明专利]非易失性静态随机存取存储器和对应控制方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

存储器设备，包括至少一个存储器点，所述至少一个存储器点包括：

易失性存储器单元和单个非易失性存储器单元，一起被耦合到公共节点；以及

单个选择晶体管，被耦合在所述公共节点与单个位线之间，

其中所述易失性存储器单元的第一输出被耦合到所述公共节点，以及

其中所述易失性存储器单元的第二输出未被连接至所述易失性存储器单元外部的任何节点，所述第二输出与所述第一输出互补。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述易失性存储器单元包括双稳态锁存器，所述双稳态锁存器包括被反并联安装的两个反相器，并且所述非易失性存储器单元包括状态晶体管和存取晶体管，所述状态晶体管具有命令栅极和浮动栅极，所述存取晶体管被串联耦合在所述公共节点与所述状态晶体管之间。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述存储器点包括等于7的晶体管数目。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述至少一个存储器点还包括被串联耦合在所述公共节点与所述易失性存储器单元之间的隔离晶体管。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中所述存储器点包括等于8的晶体管数目。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述存储器设备包括：存储器平面，包括被布置在至少一个存储器字中的多个存储器点；以及每存储器字一个局部解码器，包括电力线，所述电力线被耦合至相应的所述存储器字的所述易失性存储器单元的电力端子，并且所述电力线被配置为将电力状态存储在状态寄存器中，所述电力状态的第一值表示相应的所述存储器字的所述易失性存储器单元的非操作状态，所述电力状态的第二值表示相应的所述存储器字的所述易失性存储器单元的操作状态。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其中所述局部解码器被配置为只要所述电力状态具有所述第二值就在所述电力线上维持第一组电力电压，所述第一组电力电压适于所述易失性存储器单元的功能供电。

8.根据权利要求6所述的集成电路，其中所述存储器设备还包括：读取电路装置，被配置为响应于相应的所述电力状态具有所述第一值而生成第一读取信号，所述第一读取信号适于对在所选择的存储器字的所述非易失性存储器单元中的读取操作进行定时，并且响应于相应的所述电力状态具有所述第二值而生成第二读取信号，所述第二读取信号适于对在所选择的存储器字的所述易失性存储器单元中的读取操作进行定时。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其中所述读取电路装置被配置为生成所述第一读取信号之中的、在所选择的存储器字的所述电力线上的第二组电力电压，所述第二组电力电压适于在被耦合到所述易失性存储器单元的所述公共节点的所述第一输出上施加高阻抗浮动电势。

10.根据权利要求8所述的集成电路，其中所述读取电路装置包括：读取放大器，被配置为生成所述第一读取信号和所述第二读取信号之中的、在被读取的存储器点的所述位线上的预充电电压，以及分别在所述非易失性存储器单元中的读取操作期间和在所述易失性存储器单元中的读取操作期间，检测在所述位线上的电流或电压的变化。

11.根据权利要求6所述的集成电路，其中所述存储器设备还包括：写入电路装置，被配置为生成第一写入信号，所述第一写入信号适于与所述电力状态的任何值无关地对在所选择的存储器字的所述易失性存储器单元中的写入操作进行定时，相应的所述存储器字的所述局部解码器被配置为在写入操作之后提供具有所述第二值的所述电力状态。