[发明专利]一种功率器件抗单粒子烧毁加固结构以及制备方法

权利要求书

1.一种功率器件抗单粒子烧毁加固结构，其特征在于，在半导体功率器件的漏电极区域设置一N型多缓冲层区结构；在源电极与颈区电极处形成一沟槽并形成金属电极；所述颈区电极的下方设有集成晶体管；在P型体区与漂移区之间设置N型场截止层；其中，在场截止层上方从左到右设有P-体区、电流扩展区和P-基区，在P-体区上方形成N+源区、P+区，在源电极与颈区电极处形成一沟槽并形成金属电极，在P-基区上表面形成P缓冲层，在缓冲层上表面从左至右依次形成P+发射极和N缓冲层，在N缓冲层上表面形成N+发射极；栅极部分覆盖在P-体区上方，且未覆盖在P-基区上方。

2.如权利要求1所述的功率器件抗单粒子烧毁加固结构，其特征在于，所述N型多缓冲层结构外延宽度为11um、整体外延厚度为15μm，其内包含5层3μm厚度的子层，掺杂浓度由上至下分别为5.6×10¹⁶cm^-3、1.12×10¹⁷cm^-3、2.24×10¹⁷cm^-3、4.48×10¹⁷cm^-3、8.96×10¹⁷cm^-3。

3.如权利要求2所述的功率器件抗单粒子烧毁加固结构，其特征在于，所述P型体区结深为5.2μm、宽度为2.5μm。

4.如权利要求3所述的功率器件抗单粒子烧毁加固结构，其特征在于，所述N型场截止层外延宽度为11um、整体外延厚度为0.4μm，其内包含2层0.2μm厚度的子层，掺杂浓度由上至下分别为1×10¹⁷cm^-3、6×10¹⁶cm^-3。

5.如权利要求4所述的功率器件抗单粒子烧毁加固结构，其特征在于，所述沟槽深度0.5μm。