[发明专利]气体感测器在审

专利信息
申请号: 202110108257.9 申请日: 2021-01-27
公开(公告)号: CN113376220A 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 骆玠錞;何羽轩 申请(专利权)人: 新唐科技股份有限公司
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 侯天印;郝博
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 气体 感测器
【权利要求书】:

1.一种气体感测器,其特征在于,包括:

一半导体基底;

一第一指状电极,形成在上述半导体基底上,具有一第一主体部分以及多个第一延伸部分;

一第二指状电极,形成在上述半导体基底上,具有一第二主体部分以及多个第二延伸部分;

一第三指状电极,形成在上述半导体基底上,设置在上述第一指状电极以及上述第二指状电极之间,具有一第三主体部分以及多个第三延伸部分以及多个第四延伸部分;

一第一半导体层,形成在上述第一指状电极的上述第一延伸部分以及上述第三指状电极的上述第三延伸部分之间;以及

一第二半导体层,形成在上述第二指状电极的上述第二延伸部分以及上述第三指状电极的上述第四延伸部分之间;

其中上述第一半导体层与上述第二半导体层是由不同材料所形成。

2.如权利要求1所述的气体感测器,其特征在于,上述第一指状电极的上述第一延伸部分与上述第三指状电极的上述第四延伸部分是沿着相同方向而延伸,以及上述第二指状电极的上述第二延伸部分与上述第三指状电极的上述第三延伸部分是沿着相同方向而延伸。

3.如权利要求1所述的气体感测器,其特征在于,上述第一半导体层是由一第一湿敏材料所形成,而上述第二半导体层是由一第二湿敏材料所形成,其中该第一湿敏材料不同于该第二湿敏材料。

4.如权利要求1所述的气体感测器,其特征在于,形成上述第一半导体层的材料包括三氧化钼、氧化铝、聚酰亚胺或石墨烯,以及形成上述第二半导体层的材料包括氧化石墨烯或氧化物/石墨烯复合材料。

5.一种气体感测器,其特征在于,包括:

一半导体基底;

一第一指状电极,形成在上述半导体基底上,具有一第一主体部分、多个第一延伸部分以及多个第二延伸部分;

一第二指状电极,形成在上述半导体基底上,具有一第二主体部分以及多个第三延伸部分以及多个第四延伸部分;

一第一半导体层,形成在上述第一指状电极的上述第一延伸部分以及上述第二指状电极的上述第三延伸部分之间;以及

一第二半导体层,形成在上述第一指状电极的上述第二延伸部分以及上述第二指状电极的上述第四延伸部分之间;

其中上述第一半导体层与上述第二半导体层是由不同材料所形成,以及上述第一半导体层是分离于上述第二半导体层。

6.如权利要求5所述的气体感测器,其特征在于,上述第一指状电极的上述第一延伸部分与上述第二延伸部分是沿着相同方向而延伸,以及上述第二指状电极的上述第三延伸部分与上述第四延伸部分是沿着相同方向而延伸。

7.如权利要求5所述的气体感测器,其特征在于,上述第一半导体层是由一第一湿敏材料所形成,而上述第二半导体层是由一第二湿敏材料所形成。

8.如权利要求5所述的气体感测器,其特征在于,上述第一半导体层是N型半导体材料,而上述第二半导体层是P型半导体材料。

9.一种气体感测器,其特征在于,包括:

一N型气体感测元件,耦接于一第一节点以及一接地端之间;

一P型气体感测元件,耦接于上述第一节点以及上述接地端之间;

一开关,耦接于上述第一节点以及上述N型气体感测元件之间;以及

一读取电路,耦接于上述第一节点,用以根据上述第一节点的电压或电流来控制上述开关是否导通。

10.如权利要求9所述的气体感测器,其特征在于,当上述开关为不导通且上述第一节点的电压或电流是指示上述P型气体感测元件的等效阻抗大于或等于一特定电阻值时,上述控制电路控制上述开关为导通。

11.如权利要求9所述的气体感测器,其特征在于,当上述开关为导通且上述第一节点的电压或电流是指示上述P型气体感测元件和上述N型气体感测元件的等效阻抗大于或等于一特定电阻值时,上述控制电路控制上述开关为不导通。

12.如权利要求9所述的气体感测器,其特征在于,上述P型气体感测元件包括:

一第一指状电极,具有一第一主体部分、多个第一延伸部分;

一第二指状电极,具有一第二主体部分以及多个第二延伸部分;以及

一第一半导体层,形成在上述第一指状电极的上述第一延伸部分以及上述第二指状电极的上述第二延伸部分之间;

其中上述N型气体感测元件包括:

一第三指状电极,具有一第三主体部分、多个第三延伸部分;

上述第二指状电极,更具有多个第四延伸部分;以及

一第二半导体层,形成在上述第三指状电极的上述第三延伸部分以及上述第二指状电极的上述第四延伸部分之间;

其中上述第一半导体层与上述第二半导体层是由不同材料所形成。

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