[发明专利]发光芯片及其制作方法、显示面板

权利要求书

1.一种发光芯片，其特征在于，包括依次层叠的第一电极层、空穴注入层、发光层、电子注入层以及第二电极层；

所述空穴注入层中设有第一电阻区，所述第一电阻区围设于所述空穴注入层的边缘，所述第一电阻区具有第一阻值，且所述第一阻值高于所述空穴注入层的电阻值；

所述电子注入层中设有第二电阻区，所述第二电阻区也围设于所述电子注入层的边缘，所述第二电阻区具有第二阻值，且所述第二阻值也高于所述电子注入层的电阻值；

在所述第一电极层至所述第二电极层的层叠方向上，所述第一电阻区与所述发光层之间具有第一间隙，所述第二电阻区与所述发光层之间具有第二间隙。

2.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述第一间隙的厚度为所述空穴注入层厚度的1/4-1/3，所述第二间隙的厚度为所述电子注入层厚度的1/8-1/6。

3.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述第一电阻区和所述第二电阻区的阻值ρ均满足条件：ρ10⁸Ω·m。

4.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，在垂直于所述第一电极层至所述第二电极层的层叠方向的平面上，所述第一电阻区和所述第二电阻区的宽度L3均满足条件：L3≥1μm。

5.一种发光芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上制作依次层叠的电子注入层、发光层和空穴注入层；

对所述空穴注入层的边缘进行离子布植以形成第一电阻区，且所述第一电阻区的阻值高于所述空穴注入层的阻值；

在所述空穴注入层上制作第一电极层并去除所述衬底；

对所述电子注入层的边缘进行离子布植以形成第二电阻区，且所述第二电阻区的阻值也高于所述电子注入层的阻值；

在所述电子注入层上制作第二电极层。

6.如权利要求5所述的发光芯片的制作方法，其特征在于，所述对所述空穴注入层的边缘进行离子布植以形成第一电阻区，和所述对所述电子注入层的边缘进行离子布植以形成第二电阻区，包括：

对所述空穴注入层和所述电子注入层各自的外表面进行离子布植，且布植时长位于200s-500s之间。

7.如权利要求5所述的发光芯片的制作方法，其特征在于，所述对所述空穴注入层的边缘进行离子布植以形成第一电阻区，和所述对所述电子注入层的边缘进行离子布植以形成第二电阻区，还包括：

对所述空穴注入层和所述电子注入层各自的外表面进行离子布植，且布植的气压浓度位于1mT-100mT之间。

8.如权利要求5所述的发光芯片的制作方法，其特征在于，所述在所述空穴注入层上制作第一电极层并去除所述衬底，包括：

在所述空穴注入层上制作第一电极层；

采用氨水和双氧水混合液湿法去除所述衬底。

9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1-4任一项所述的发光芯片，或所述显示面板包括如权利要求5-8任一项所述方法制作的发光芯片。