[发明专利]发光芯片及其制作方法、显示面板有效
申请号: | 202110110425.8 | 申请日: | 2021-01-27 |
公开(公告)号: | CN114039005B | 公开(公告)日: | 2023-05-19 |
发明(设计)人: | 王涛;伍凯义 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H10K50/17 | 分类号: | H10K50/17;H10K71/00 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永强 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 芯片 及其 制作方法 显示 面板 | ||
本发明涉及一种发光芯片,包括依次层叠的第一电极层、空穴注入层、发光层、电子注入层以及第二电极层;空穴注入层中设有第一电阻区,第一电阻区围设于空穴注入层的边缘,第一电阻区具有第一阻值,且第一阻值高于空穴注入层的电阻值;电子注入层中设有第二电阻区,第二电阻区也围设于电子注入层的边缘,第二电阻区具有第二阻值,且第二阻值也高于电子注入层的电阻值。本申请发光芯片能够减少发光芯片侧壁的面积占比,同时能够减少发光芯片侧壁处的非辐射复合,进而能够增加发光芯片的发光效率。本申请还涉及一种发光芯片的制作方法,以及包括该发光芯片或该方法制作的发光芯片的显示面板。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种发光芯片、一种发光芯片的制作方法、以及包括该发光芯片或该方法制作的发光芯片的显示面板。
背景技术
发光芯片通过以光子辐射释放能量的辐射复合实现发光。由于侧壁表面处的能带易发生弯曲,因此在发光芯片的侧壁位置会出现以非光子辐射形成的非辐射复合。也即,发光芯片的侧壁是向发光芯片中注入的空穴和电子进行非辐射复合的接收侧。目前,随着将Micro LED尺寸的缩小,发光芯片侧壁的面积占比增加,位于发光芯片侧壁上的空穴和电子的非辐射复合率相应提高,过高的非辐射复合会影响发光芯片的发光效率。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本申请的目的在于提供一种发光芯片、一种发光芯片的制作方法、以及包括该发光芯片的显示面板,能够解决发光芯片上因侧壁的面积占比增加,导致发光芯片侧壁上的非辐射复合增加,进而降低发光芯片的发光效率的问题。
一种发光芯片,包括依次层叠的第一电极层、空穴注入层、发光层、电子注入层以及第二电极层;
空穴注入层中设有第一电阻区,第一电阻区围设于空穴注入层的边缘,第一电阻区具有第一阻值,且第一阻值高于空穴注入层的电阻值;
电子注入层中设有第二电阻区,第二电阻区也围设于电子注入层的边缘,第二电阻区具有第二阻值,且第二阻值也高于电子注入层的电阻值。
本申请通过依次层叠的第一电极层、空穴注入层、发光层、电子注入层以及第二电极层以形成发光芯片的结构。而通过在空穴注入层中设置第一电阻区,且第一电阻区的第一阻值高于空穴注入层的电阻值,并能够阻挡空穴在第一电阻区上的流动,避免空穴流动至发光芯片的侧壁附近;同时,本申请发光芯片通过在电子注入层中设置第二电阻区,第二电阻区的第二阻值高于电子注入层的电阻值,也能够阻挡电子在第二电阻区上的流动,避免电子流动至发光芯片的侧壁附近。由此,第一电阻区和第二电阻区的设置能够减少空穴和电子在发光芯片的侧壁附近进行非辐射复合的数量,进而能够增加电子和空穴在发光层内部的辐射复合,达到增加发光芯片的发光效率的效果。
可选地,在第一电极层至第二电极层的层叠方向上,第一电阻区与发光层之间具有第一间隙,第二电阻区与发光层之间具有第二间隙。
通过设置第一间隙和第二间隙,使得具有较高阻值的第一电阻区和第二电阻区均与发光层形成间隔,避免第一电阻区或第二电阻区对发光层的工作形成干扰。
可选地,第一间隙的厚度为空穴注入层厚度的1/4-1/3,第二间隙的厚度为电子注入层厚度的1/8-1/6。
第一间隙和第二间隙尺寸的设置能够较好地保护发光层的结构。
可选地,第一电阻区和第二电阻区的阻值ρ均满足条件:ρ108Ω·m。
第一电阻区的阻值的限制,能够较好地保证第一电阻区阻挡空穴流动的功能,第二电阻区的阻值的限制,能够较好地保证第二电阻区阻挡电子流动的功能。
可选地,在垂直于第一电极层至第二电极层的层叠方向的平面上,第一电阻区和第二电阻区的宽度L3均满足条件:L3≥1μm。
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