[发明专利]集成芯片及形成存储器装置的方法

权利要求书

1.一种集成芯片，包括：

第一井区、第二井区以及第三井区，设置于衬底内，其中所述第二井区在所述第一井区与所述第三井区之间横向地隔开；

隔离结构，设置在所述衬底的一正面内，其中所述隔离结构横向地围绕所述第一井区、所述第二井区和所述第三井区；

浮置栅极，上覆在所述衬底的所述正面，其中所述浮置栅极连续地从所述第一井区横向延伸到所述第三井区；

介电结构，设置在所述衬底和所述浮置栅极之间；

位线写入区，设置在所述第二井区内，其中所述位线写入区包括设置在所述浮置栅极的相对侧上的源极/漏极区；以及

位线读取区，设置在所述第二井区内并且与所述位线写入区横向地偏移非零距离，其中所述位线读取区包括设置在所述浮置栅极的所述相对侧上的源极/漏极区。

2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述浮置栅极在所述第一井区上方具有第一宽度，所述浮置栅极在所述第二井区上方具有第二宽度，并且所述浮置栅极在所述第三井区上方具有第三宽度，其中所述第一宽度小于所述第二宽度，且所述第二宽度小于所述第三宽度。

3.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述隔离结构包括设置在所述第二井区内的中间隔离段，其中所述位线写入区沿着所述中间隔离段的第一侧壁设置，且所述位线读取区沿着所述中间隔离段的第二侧壁设置，其中所述第一侧壁相对于所述第二侧壁。

4.一种集成芯片，包括：

井区，设置在衬底内；

隔离结构，设置在衬底的正面内，其中所述隔离结构横向地包围所述井区；

位线写入区，设置在所述井区内；

位线读取区，设置在所述井区内且与所述位线写入区横向地偏移非零距离的；

第一存储晶体管，包括设置在所述位线写入区内的源极/漏极区和包括浮置栅极的第一浮置栅极部分的第一闸电极，其中所述第一存储晶体管的所述源极/漏极区设置在所述浮置栅极的相对侧，其中所述浮置栅极上覆所述衬底的所述井区；以及

第二存储晶体管，包括设置在所述位线读取区内的源极/漏极区和包括所述浮置栅极的第二浮置栅极部分的第二闸电极，其中所述第二存储晶体管的所述源极/漏极区设置在所述浮置栅极的相对侧。

5.根据权利要求4所述的集成芯片，其中横向地设置在所述第一外围隔离段和所述中间隔离段之间的所述浮置栅极的第一高度小于所述中间隔离段上方的所述浮置栅极的第二高度。

6.根据权利要求4所述的集成芯片，其中所述中间隔离段的宽度小于所述第一外围隔离段的宽度，并且所述中间隔离段的宽度小于所述第二外围隔离段的宽度。

7.根据权利要求4所述的集成芯片，其中所述井区沿着所述中间隔离段的底面从所述第一外围隔离段的侧壁连续地延伸到所述第二外围隔离段的侧壁。

8.根据权利要求4所述的集成芯片，还包括：

第一选择晶体管，包括设置在所述位线写入区内的源极/漏极区以及包括选择栅极的第一选择栅极部分的第一选择闸电极，其中所述第一选择晶体管沿着所述中间隔离段的所述第一侧壁设置；以及

第二选择晶体管，包括设置在所述位线读取区内的源极/漏极区和包括所述选择栅极的第二选择栅极部分的第二选择闸电极，其中所述第二选择晶体管沿着所述中间隔离段的所述第二侧壁设置。

9.一种形成存储器装置的方法，所述方法包括：

在衬底中形成隔离结构，其中所述隔离结构包括界定所述衬底的装置区的内侧壁；

掺杂所述衬底以在所述衬底的所述装置区内形成中间井区；

形成浮置栅极在至少一部分的所述中间井区和至少一部分的所述隔离结构上；以及

掺杂所述衬底以在所述中间井区的第一部分内形成位线读取区，并在所述中间井区的第二部分内形成位线写入区，其中所述位线读取区包括在所述浮置栅极的相对侧上的源极/漏极区，且所述位线写入区包括在所述浮置栅极的所述相对侧上的源极/漏极区，其中所述中间井区的所述第一部分与所述中间井区的所述第二部分横向偏移非零值距离。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述隔离结构包括第一外围隔离段、第二外围隔离段和设置在所述第一外围隔离段和所述第二外围隔离段之间的中间隔离段，其中所述中间隔离段横向地设置在所述中间井区的所述第一部分和所述中间井区的所述第二部分之间。