[发明专利]一种用于静电保护的可控硅结构

权利要求书

1.一种用于静电保护的可控硅结构，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底中相邻的第一P型阱区和第一N型阱区；

位于所述第一P型阱区中的P型轻掺杂区，所述P型轻掺杂区中分别形成有靠近所述半导体衬底表面并依次排列的第一N型重掺杂区、第一P型重掺杂区和第二N型重掺杂区；

位于所述第一N型阱区中的N型轻掺杂区，所述N型轻掺杂区中形成有靠近所述半导体衬底表面的第三N型重掺杂区，所述N型轻掺杂区周围依次形成有第二P型重掺杂区和第四N型重掺杂区；

覆盖部分的所述第一N型阱区和所述第一P型阱区的多晶硅层，所述多晶硅层暴露所述各个重掺杂区；

其中，所述第一N型重掺杂区、第一所述P型重掺杂区和所述第二N型重掺杂区连接阴极，所述第三N型重掺杂区和所述第二P型重掺杂区连接阳极。

2.根据权利要求1所述的用于静电保护的可控硅结构，其特征在于，所述第三N型重掺杂区中包括间隔的多段P型重掺杂区。

3.一种用于静电保护的可控硅结构，其特征在于，包含：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底中相邻的第一P型阱区和第一N型阱区；

位于所述第一P型阱区中的P型轻掺杂区，所述P型轻掺杂区中分别形成有靠近所述半导体衬底表面并依次排列的第一N型重掺杂区、第一P型重掺杂区和第二N型重掺杂区；

位于所述第一N型阱区中的N型轻掺杂区，所述N型轻掺杂区中形成有靠近所述半导体衬底表面并依次排列的第三N型重掺杂区、第二P型重掺杂区和第四N型重掺杂区；

覆盖部分的所述第一N型阱区和所述第一P型阱区的多晶硅层，所述多晶硅层暴露所述各个重掺杂区；

其中，所述第一N型重掺杂区、第一所述P型重掺杂区和所述第二N型重掺杂区连接阴极，所述第三N型重掺杂区、所述第二P型重掺杂区和所述第四N型重掺杂区连接阳极。

4.根据权利要求1所述的用于静电保护的可控硅结构，其特征在于，所述第二P型重掺杂区中包括间隔的多段N型重掺杂区。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的用于静电保护的可控硅结构，其特征在于，所述半导体衬底中包括N型埋层，所述第一N型阱区和所述第一P型阱区位于所述N型埋层上方。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的用于静电保护的可控硅结构，其特征在于，所述第一N型阱区中形成有位于所述N型埋层上方的P型阱区。

7.根据权利要求1至4中任意一项所述的用于静电保护的可控硅结构，其特征在于，还包括：依次位于所述第一N型阱区远离所述第一P型阱区一侧的第二P型阱区和第二N型阱区，所述第二P型阱区中形成有靠近所述半导体表面的第三P型重掺杂区，所述第三P型重掺杂区连接所述阴极，所述第二N型阱区中形成有靠近所述半导体表面的第五N型重掺杂区，所述第五N型重掺杂区连接所述阳极。

8.根据权利要求7所述的用于静电保护的可控硅结构，其特征在于，所述第二N型阱区一侧形成有位于所述半导体衬底中并靠近所述半导体表面的P型重掺杂区，所述P型重掺杂区连接地端。

9.根据权利要求1或4所述的用于静电保护的可控硅结构，其特征在于，所述P型轻掺杂区包括第一P型轻掺杂区和第二P型轻掺杂区，所述第一P型轻掺杂区位于所述第一P型阱区中，所述第二P型轻掺杂区位于所述第一P型轻掺杂区中且掺杂浓度高于所述第一P型轻掺杂区，所述第一N型重掺杂区、第一P型重掺杂区和第二N型重掺杂区形成于所述第二P型轻掺杂区中。

10.根据权利要求1或4所述的用于静电保护的可控硅结构，其特征在于，所述半导体衬底为P型半导体衬底。