[发明专利]半导体结构及其制作方法以及DRAM

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体衬底；

设置在所述半导体衬底上的多个下电极，多个所述下电极分布为多排结构，且相邻排的所述下电极相互交错排布；

至少一层支撑件，所述支撑件具有椭圆形开口。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，多个所述支撑件分布为多排结构，且相邻所述下电极均与多排所述支撑件对应连接。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，每个所述开口暴露出相邻两排的所述下电极中每一个的至少一部分，所述支撑件将被暴露出来的所述下电极的其他部分的侧壁进行支撑。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑件的开口在水平方向倾斜设置，被暴露出的相邻两排所述下电极中，每一排至少包含两个所述下电极。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，多排所述支撑件的开口在水平方向倾斜设置，所述开口的长轴方向与所述多排结构的排列方向平行。

6.根据权利要求2-5中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑件形成的支撑件的层数为多层；不同层所述支撑件位于所述下电极的不同高度，和/或，不同层所述支撑件的支撑图案在所述下电极的水平方向上相互交错排布。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑件位于所述下电极的外侧壁上；在所述开口中，所述下电极的内壁和/或外壁上包括电容介质层和上电极。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体衬底上包括着陆焊盘，所述下电极与所述着陆焊盘电连接。

9.一种DRAM，其特征在于，包括如权利要求8所述的半导体结构；所述半导体结构为多个，多个所述半导体结构均匀排布；所述半导体衬底中还包括掩埋沟道阵列晶体管；所述掩埋沟道阵列晶体管的有源区之一与位线连接，另一有源区与所述着陆焊盘电连接。

10.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成包括至少一个模制氧化层和支撑件交替的叠层结构；

刻蚀所述叠层结构以形成接触孔；

在所述接触孔内形成下电极；

将所述至少一个支撑层图案化以形成支撑件，所述支撑件具有多个椭圆形开口，其中，每个所述开口同时连接多个相邻所述接触孔。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，每个所述椭圆形开口暴露出相邻两排的所述下电极中每一个的至少一部分，所述支撑件将被暴露出来的所述下电极的其他部分的侧壁进行支撑。

12.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，在所述开口中的所述接触孔的内壁和/或外壁分别形成电容介质层和上电极。