[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

衬底基板，所述衬底基板上包括第一有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极和第一绝缘层；

所述第一绝缘层上包括第一源漏极和第二源漏极；

所述第一源漏极与所述第一有源层通过第一过孔连接；

所述第二源漏极上包括第二绝缘层；

所述第二绝缘层上包括第二有源层、第二栅极绝缘层和第二栅极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述阵列基板还包括第二过孔，所述第二有源层与所述第二源漏极通过所述第二过孔连接。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二有源层与所述第二源漏极通过第四过孔连接，所述第四过孔包括第一单孔和第二单孔。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层包括低温多晶硅LTPS层或非晶硅层，所述第二有源层包括氧化物有源层。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二绝缘层包括SiOx与SiNx的复合层、SiOx层或SiNx层。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二绝缘层的厚度范围为100nm至400nm。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

第三绝缘层，所述第三绝缘层形成在所述第二栅极上；

像素电极，所述像素电极形成在所述第三绝缘层上，所述像素电极与所述第一源漏极通过第三过孔连接。

8.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成第一有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极和第一绝缘层；

通过刻蚀处理形成第一过孔；

在所述第一绝缘层上形成第一源漏极和第二源漏极，所述第一源漏极通过所述第一过孔与所述第一有源层连接；

在所述第二源漏极上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成第二有源层、第二栅极绝缘层和第二栅极。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述第二绝缘层上形成第二有源层之前，所述方法还包括：

通过刻蚀处理形成第二过孔，所述第二有源层与所述第二源漏极通过所述第二过孔连接。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在形成所述第二栅极绝缘层之后，所述方法还包括：

通过刻蚀处理形成第一单孔和第二单孔；

所述第二有源层和所述第二源漏极通过第四过孔连接，所述第四过孔包括所述第一单孔和所述第二单孔。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在形成所述第二栅极绝缘层之后，所述方法还包括：

通过刻蚀处理形成第二过孔，所述第二有源层和所述第二源漏极通过所述第二过孔连接。

12.根据权利要求8至11中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一有源层包括低温多晶硅LTPS层或非晶硅层，所述第二有源层包括氧化物有源层。

13.根据权利要求8至12中任一项所述的方法，其特征在于，在所述第二绝缘层上形成第二有源层、第二栅极绝缘层和第二栅极之后，所述方法还包括：

对所述第二有源层未被所述第二栅极遮挡的部分进行导体化处理。

14.根据权利要求8至13中任一项所述的方法，其特征在于，

所述第二绝缘层包括SiOx与SiNx的复合层、SiOx层或SiNx层。