[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

说明书

本申请实施例涉及一种阵列基板及其制造方法，该阵列基板包括：衬底基板，衬底基板上包括第一有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极和第一绝缘层；第一绝缘层上包括第一源漏极和第二源漏极；第一源漏极与第一有源层通过第一过孔连接；第二源漏极上包括第二绝缘层；第二绝缘层上包括第二有源层、第二栅极绝缘层和第二栅极。该阵列基板利用源漏极对第一有源层的隔离，改善了阵列基板中制作两种不同材料的薄膜晶体管的工艺兼容性的问题，增强了产品的可靠性。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，并且更具体地，涉及一种阵列基板及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)阵列基板是诸如液晶屏(liquidcrystal display，LCD)、主动矩阵有机发光二极管(active-matrix organic light-emitting diode，AMOLED)等显示装置中的主要组成部件，其用于向显示器提供驱动电路，通常设置有数条栅极扫描线和数条数据线。该数条栅极扫描线和数条数据线限定出多个像素单元。每个像素单元内设置有薄膜晶体管和像素电极。薄膜晶体管的栅极与相应的栅极扫描线相连。当栅极扫描线上的电压达到开启电压时，薄膜晶体管的源极和漏极导通，从而将数据线上的数据电压输入至像素电极，进而控制相应像素区域的显示。

低温多晶硅氧化物(low-temperature polycrystalline oxide，LTPO)TFT结合了以低温多晶硅(low temperature poly silicon，LTPS)和氧化物(Oxide)为基础的两种TFT的优势，在AMOLED产品的高像素密度(pixels per inch，PPI)、低功耗、高画质等方面具备一定的优势。另外，由于Oxide TFT具有漏电流低的优点，因此LTPO TFT工艺的集成开发具有较高的价值和意义。

现有的LTPO TFT技术中，由于两种TFT材料的性质不同，将其形成于同一基板上会出现工艺不兼容等问题。在相关技术制备LTPS TFT的过程中，需要制作贯穿多层绝缘层的过孔，以使源漏极与多晶硅半导体层连接。在制作过孔之后，由于多晶硅层中对应位置暴露在空气中，会导致其表面被氧化，需要实施氢氟酸清洗，以使得在形成源漏极前去除其表面氧化物。但是，如果在氢氟酸清洗过程中氢氟酸接触到氧化物半导体，会导致氢氟酸腐蚀氧化物半导体而造成氧化物半导体损伤，从而影响Oxide TFT器件的稳定性。

发明内容

本申请提供一种阵列基板及其制造方法，能够改善阵列基板中不同薄膜晶体管的工艺兼容性的问题，增强了产品的可靠性。

第一方面，提供了一种阵列基板，该阵列基板包括：衬底基板110，衬底基板110上包括第一有源层130、第一栅极绝缘层140、第一栅极150和第一绝缘层160；第一绝缘层160上包括第一源漏极180和第二源漏极190；第一源漏极180与第一有源层130通过第一过孔170连接；第二源漏极190上包括第二绝缘层1100；第二绝缘层1100上包括第二有源层1120、第二栅极绝缘层1130和第二栅极1140。

其中，第一有源层130可以是多晶硅层，例如，低温多晶硅(LTPS)层，或者是非晶硅层，第二有源层可以是氧化物有源层，例如，铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，IGZO)有源层。

因此，在本申请提供的阵列基板中，通过源漏极对第一有源层130的隔离，避免了第一有源层130通孔刻蚀后进行氢氟酸(HF)清洗时对第二有源层1120的腐蚀，改善了阵列基板中两种不同材料的TFT的工艺兼容性的问题，增强了产品的可靠性。

结合第一方面，在第一方面的一种实现方式中，该阵列基板还包括第二过孔1110，第二有源层1120与第二源漏极190通过第二过孔1110连接。

结合第一方面，在第一方面的另一种实现方式中，第二有源层1120和第二源漏极190通过第四过孔1113连接，第四过孔1113包括第一单孔1111和第二单孔1112。