[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

半导体柱，具有半导体层，沿第一方向延伸；

第一布线，沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；

第一电极，配置于所述半导体柱与所述第一布线之间；

第一绝缘膜，在所述第一电极与所述第一布线之间配置为与所述第一电极相邻；

第二绝缘膜，在所述第一绝缘膜与所述第一布线之间配置为与所述第一绝缘膜相邻，且介电常数比所述第一绝缘膜的介电常数高；以及

第三绝缘膜，设于所述第二绝缘膜与所述第一布线之间，

所述第二绝缘膜与所述半导体层的最短距离比所述第一电极与所述半导体层的最短距离长。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

在所述第二绝缘膜与所述第一电极之间配置有所述第一绝缘膜与所述第三绝缘膜。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

在所述半导体层与所述第一电极之间配置有绝缘膜。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

假设在沿着所述第一方向的所述第一布线的厚度方向的中间点穿过的线A，

在将沿着所述线A的所述第二绝缘膜的厚度设为a、将沿着所述线A的所述第一绝缘膜的厚度设为d、将沿着所述线A的所述第一电极的厚度设为f的情况下，

沿着与所述线A平行的朝向的所述第二绝缘膜的膜厚的最大值小于a+d+(1/2)f。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

所述第三绝缘膜包含介电常数比所述第二绝缘膜的介电常数低的材料。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

所述第一绝缘膜所含的材料与所述第三绝缘膜所含的材料不同。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

所述第一绝缘膜所含的材料与所述第三绝缘膜所含的材料相同。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

在所述第二绝缘膜的沿着所述第一方向的两端部与所述半导体层之间，配置有介电常数比所述第二绝缘膜的介电常数低的第四绝缘膜。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

在所述第二绝缘膜的沿着所述第一方向的两端部形成有向所述半导体柱侧突出的突部，在所述突部与所述半导体层之间配置有介电常数比所述第二绝缘膜的介电常数低的第四绝缘膜。

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

所述第二绝缘膜的沿着所述第一方向的长度，比所述第一方向上的所述第一电极的长度长。

11.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

所述第二绝缘膜与所述第一电极的沿着所述第一方向的长度，比沿着所述第一方向的所述第一布线的厚度大。