[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 202110115501.4 | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN114300433A | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 北泽秀明 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | H01L23/492 | 分类号: | H01L23/492;H01L23/24;H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘英华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,具备:
第1电极,具有第1板部,该第1板部具有第1面及与所述第1面对置的第2面;
多个半导体芯片,设置于所述第2面上;以及
第2电极,具有第2板部和第3板部,
该第2板部,设置于所述多个半导体芯片之上,具有与所述第2面对置的第3面及与所述第3面对置的第4面,所述第2板部具有多个凸部,该多个凸部设置于所述多个半导体芯片各自与所述第3面之间、与所述第3面连接、且在与所述第2面平行的面内分别具有与所述半导体芯片相同形状的顶面,所述第2板部具有比第1直径大的第2外径,该第1直径是在与所述第3面平行的面内与所述多个凸部中的设置于最外侧的所述多个凸部外接的最小的圆的直径,
该第3板部,具有与所述第4面连接的第5面及与所述第5面对置的第6面,且具有所述第1直径以下的第3外径。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
第1虚拟直线通过所述第3板部,该第1虚拟直线是从所述多个凸部中的设置于最外侧的所述凸部的最外侧的端部起、以与所述第3面的中心的垂线在所述第4面侧交叉的方式、相对于所述第3面以45度引出的。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述第1电极具有第4板部,该第4板部具有所述第1直径以下的第4外径、且与所述第1面连接。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,
第2虚拟直线通过所述第4板部,该第2虚拟直线是从所述多个半导体芯片中的设置于最外侧的所述半导体芯片的最外侧的端部起、以与所述第2面的中心的垂线在所述第1面侧交叉的方式、相对于所述第2面以45度引出的。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
还具备设置于所述第2面之上的第1缓冲部,
所述多个半导体芯片设置于所述第1缓冲部之上。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
还具备多个第2缓冲部,该多个第2缓冲部分别设置于所述多个半导体芯片与所述多个凸部之间。
7.一种半导体装置,具备:
第1电极,具有第1板部,该第1板部具有第1面及与所述第1面对置的第2面;
多个半导体芯片,设置于所述第2面上;以及
第2电极,设置于所述多个半导体芯片之上,具有第2板部,该第2板部具有与所述第2面对置的第3面及与所述第3面对置的第4面,所述第2电极具有多个凸部,该多个凸部设置于所述多个半导体芯片各自与所述第3面之间、且与所述第3面连接,所述第2板部具有与第1直径相等的第2外径,该第1直径是在与所述第3面平行的面内与所述多个凸部中的设置于最外侧的所述多个凸部外接的最小的圆的直径。
8.根据权利要求7所述的半导体装置,其中,
所述第1板部的第1外径与所述第1直径相等。
9.一种半导体装置,具备:
第1电极,具有第1板部,该第1板部具有第1面及与所述第1面对置的第2面;
多个半导体芯片,设置于所述第2面上;以及
第2电极,具有第2板部和第5板部:
该第2板部,设置于所述多个半导体芯片之上,具有与所述第2面对置的第3面及与所述第3面对置的第4面,所述第2板部具有多个凸部,该多个凸部设置于所述多个半导体芯片各自与所述第3面之间、且与所述第3面连接,第2板部具有比第1直径大的第2外径,该第1直径是在与所述第3面平行的面内与所述多个凸部中的设置于最外侧的所述多个凸部外接的最小的圆的直径,
该第5板部,设置于所述第3面的端部与所述多个凸部中的设置于最外侧的所述凸部之间的所述第3面。
10.根据权利要求9所述的半导体装置,其中,
所述第5板部的侧面与所述多个凸部中的设置于最外侧的所述凸部的侧面相接触。
11.根据权利要求9所述的半导体装置,其中,
与所述第3面垂直的方向上的所述第5板部的高度,为与所述第3面垂直的方向上的所述凸部的高度的20%以上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社,未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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