[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202110115501.4 申请日: 2021-01-28
公开(公告)号: CN114300433A 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 北泽秀明 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: H01L23/492 分类号: H01L23/492;H01L23/24;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘英华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【说明书】:

实施方式的半导体装置具备:第1电极,具有第1板部,该第1板部具有第1面及与第1面对置的第2面;多个半导体芯片,设置于第2面之上;以及第2电极,具有:第2板部,设置于多个半导体芯片之上,具有与第2面对置的第3面及与第3面对置的第4面,所述第2板部具有多个凸部,该多个凸部设置于多个半导体芯片各自与第3面之间、与第3面连接、且在与第2面平行的面内分别具有与半导体芯片相同形状的顶面,第2板部具有比第1直径大的第2外径,该第1直径是在与第3面平行的面内与多个凸部中的设置于最外侧的多个凸部外接的最小的圆的直径;以及第3板部,具有与第4面连接的第5面及与第5面对置的第6面,且具有第1直径以下的第3外径。

相关申请

本申请享受以日本专利申请2020-158215号(申请日:2020年9月23日)为基础申请的优先权。本申请通过参考该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及半导体装置。

背景技术

压接型半导体装置实现了基于两面散热的功率密度提高和在高电压·大电流下的高可靠性。压接型半导体装置具备多个半导体元件被上下的电极块夹着的构造。通过从外部对上下的电极块施加按压力,来保持内部的电接触。

在压接型半导体装置的使用中伴随着热的产生。因此,要求降低压接型半导体装置内的热阻。

发明内容

本发明的实施方式提供可靠性高的半导体装置。

一个实施方式的半导体装置具备:第1电极,具有第1板部,该第1板部具有第1面及与第1面对置的第2面;多个半导体芯片,设置于第2面之上;第2电极,具有第2板部和第3板部,该第2板部,设置于多个半导体芯片之上,具有与第2面对置的第3面及与第3面对置的第4面,所述第2板部具有多个凸部,该多个凸部设置于多个半导体芯片各自与第3面之间、与第3面连接、且在与第2面平行的面内分别具有与半导体芯片相同形状的顶面,第2板部具有比第1直径大的第2外径,该第1直径是在与第3面平行的面内与多个凸部中的设置于最外侧的多个凸部外接的最小的圆的直径;该第3板部具有与第4面连接的第5面及与第5面对置的第6面,且具有第1直径以下的第3外径。

附图说明

图1A-图1C是第1实施方式的半导体装置的示意图。

图2A-图2B是第1实施方式的半导体芯片的示意剖视图。

图3是第1实施方式的半导体装置的示意剖视图的一例。

图4是第1实施方式的半导体装置的示意剖视图的一例。

图5是第1实施方式的半导体装置的示意剖视图的一例。

图6是第1实施方式的半导体装置的示意剖视图的一例。

图7A-图7C是作为第1实施方式的比较方式的半导体装置的示意图。

图8A-图8B是用于说明第1实施方式的半导体装置的作用效果的示意图。

图9A-图9B是第2实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图10A-图10C是第3实施方式的半导体装置的示意剖视图。

具体实施方式

以下,参照附图对本发明的实施方式进行说明。另外,在以下的说明中,对相同的部件等标注相同的附图标记,对已说明过一次的部件等适当地省略其说明。

在本说明书中,为了表示部件等的位置关系,将附图的上方向记述为“上”,将附图的下方向记述为“下”。在本说明书中,“上”、“下”的概念未必是表示与重力的方向的关系的用语。

(第1实施方式)

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