[发明专利]电容结构的处理方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202110116557.1 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN112928030B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 刘昂 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/84;H01L23/498;H01L27/13 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 结构 处理 方法 半导体 | ||
1.一种电容结构的处理方法，其特征在于，包含以下步骤：
提供一衬底，所述衬底的材料包含氮化物，在所述衬底表面形成着落垫，刻蚀所述着落垫；
在所述衬底表面形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述着落垫，所述阻挡层的材料相对于所述衬底的材料具有高刻蚀选择比，所述阻挡层的材料包含聚合陶瓷材料；
刻蚀所述阻挡层，以暴露所述着落垫的顶面和所述衬底未被所述着落垫覆盖的部分；
刻蚀所述阻挡层后，在所述衬底表面形成第一支撑层，所述第一支撑层覆盖所述着落垫和所述阻挡层，所述第一支撑层的材质为氮化硅；
在所述衬底表面形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述第一支撑层，所述第一介质层的材质包含氧化物；
刻蚀所述第一介质层和所述第一支撑层而形成电容孔，所述电容孔贯穿所述第一介质层和所述第一支撑层，所述着落垫的顶面和所述阻挡层的部分顶面暴露于所述电容孔的底部；
在所述电容孔中形成电容，以此形成电容接触插塞。
2.根据权利要求1所述的电容结构的处理方法，其特征在于，所述电容包含第一电极、第二介质层以及第二电极。
3.根据权利要求2所述的电容结构的处理方法，其特征在于，所述第一电极的材质包含含氮导电材料，所述第二电极的材质包含含氮导电材料。
4.根据权利要求2所述的电容结构的处理方法，其特征在于，所述第二介质层的材质包含高介电常数材料。
5.根据权利要求1所述的电容结构的处理方法，其特征在于，刻蚀所述阻挡层时，包含将所述阻挡层的覆盖于所述着落垫顶面的部分的全部去除，以暴露所述着落垫的顶面的全部；其中，刻蚀所述第一介质层时，所述电容孔的孔底接触面与所述着落垫对齐。
6.根据权利要求1～5任一项所述的电容结构的处理方法，其特征在于，还包含以下步骤：
形成所述第一介质层后，在所述第一介质层表面形成第二支撑层；
其中，所述电容接触插塞经由刻蚀所述第二支撑层和所述第一介质层而形成。
7.根据权利要求6所述的电容结构的处理方法，其特征在于，所述第二支撑层的材质包含氮化物。
8.一种半导体结构，包含电容接触插塞，其特征在于，所述半导体结构的电容接触插塞由权利要求1～7任一项所述的电容结构的处理方法制成。
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