[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作工艺

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括生长在布拉格反射层(10)上的电流扩散金属层，所述电流扩散金属层包括间隔且交替设置的第一扩散金属层(11)和第二扩散金属层(12)，所述第一扩散金属层(11)与生长在布拉格反射层(10)下方的P电极(8)通过穿通布拉格反射层(10)的一号通孔连接，所述第二扩散金属层(12)与生长在布拉格反射层(10)下方的N电极(9)通过穿通布拉格反射层(10)的二号通孔连接；

所述第一扩散金属层(11)和第二扩散金属层(12)均包括依次生长在布拉格反射层(10)上的Cr层、Al层、Ni层、Pt层、Ni层、Pt层、Au层、Pt层和Cr层；

或者，所述第一扩散金属层(11)和第二扩散金属层(12)均包括依次生长在布拉格反射层(10)上的Cr层、Al层、Ni层、Ti层、Ni层、Ti层、Au层、Ti层和Cr层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，还包括P焊接层(14)和N焊接层(15)，所述P焊接层(14)和N焊接层(15)间隔设置在电流扩散金属层上，在电流扩散金属层与P焊接层(14)之间以及电流扩散金属层与N焊接层(15)之间均设有绝缘层，在所述绝缘层(13)上分别间隔设有多个三号通孔，用于实现P焊接层(14)与第一扩散金属层(11)之间以及N焊接层(15)与第二扩散金属层(12)之间连通。

3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，还包括衬底(1)以及依次在衬底(1)上生长的缓冲层(2)、N型半导体层(3)、发光层(4)、P型半导体层(5)、电流阻挡层(6)和透明导电层(7)，在N型半导体层(3)的一端设有一号台阶结构，所述N电极(9)设置在N型半导体层(3)的台阶面上，所述发光层(4)、P型半导体层(5)的长度与N型半导体层(3)的上表面长度相等，所述电流阻挡层(6)生长在P型半导体层(5)的部分表面上，所述透明导电层(7)生长在电流阻挡层(6)和P型半导体层(5)上，所述P电极(8)设置在透明导电层(7)上且位于电流阻挡层(6)的正上方，所述透明导电层(7)靠近N电极(9)的一端与P型半导体层(5)形成二号台阶结构。

4.一种根据权利要求3所述的发光二极管芯片的制作工艺，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、在衬底上依次生长缓冲层(2)、N型半导体层(3)、发光层(4)、P型半导体层(5)、电流阻挡层(6)和透明导电层(7)，并采用ICP刻蚀方法形成一号台阶结构和二号台阶结构；

步骤2、采用ICP刻蚀方法将步骤1形成的一号台阶结构以及由透明导电层(7)远离二号台阶结构的一端竖直向下刻蚀到衬底(1)位置处形成单个晶元；

步骤3、生长P电极(8)和N电极(9)，具体的，将所述透明导电层(7)预处理后，采用蒸发台或溅射镀膜法，在透明导电层(7)上和N型半导体层(3)上分别镀上P电极(8)和N电极(9)，经后处理得到P电极(8)和N电极(9)；

步骤4、生长布拉格反射层(10)，具体的，采用光学蒸镀机在步骤3的整体结构上镀一层布拉格反射层(10)，经预处理后，在布拉格反射层(10)上对应P电极(8)和N电极(9)的位置，采用ICP刻蚀至P电极(8)和N电极(9)上以形成一号通孔和二号通孔；

步骤5、生长第一扩散金属层(11)和第二扩散金属层(12)，具体的，将布拉格反射层(10)预处理后，采用蒸发台或溅射镀膜法，在布拉格反射层(10)上设置带有图案的负胶掩膜并在负胶掩膜上整面镀上电流扩散金属层，经后处理得到第一扩散金属层(11)和第二扩散金属层(12)；

步骤6、生长绝缘层(13)，具体的，采用PECVD方法在第一扩散金属层(11)和第二扩散金属层(12)上生长沉积绝缘层(13)，采用ICP刻蚀方法对绝缘层(13)间隔刻蚀得到多个三号通孔；

步骤7、生长P焊接层(14)和N焊接层(15)，具体的，将绝缘层(13)预处理后，采用蒸发台或溅射镀膜法，在绝缘层(13)上分别镀上P焊接层(14)和N焊接层(15)，经后处理得到P焊接层(14)和N焊接层(15)。