[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作工艺

说明书

本发明提供了一种发光二极管芯片及其制作工艺，所述发光二极管芯片，包括生长在布拉格反射层上的电流扩散金属层，所述电流扩散金属层包括间隔且交替设置的第一扩散金属层和第二扩散金属层，所述第一扩散金属层与生长在布拉格反射层下方的P电极通过穿通布拉格反射层的一号通孔连接，所述第二扩散金属层与生长在布拉格反射层下方的N电极通过穿通布拉格反射层的二号通孔连接，实现了将一条线的电极变成了有限的几个点，有效的降低了插指结构设计中插指太多带来的亮度下降问题。所述制作工艺步骤简单，且参数易控，确保了所述发光二极管芯片具有实用性和广阔的应用前景。

技术领域

本发明涉及LED制造技术领域，具体涉及一种发光二极管芯片及其制作工艺。

背景技术

与正装LED芯片相比，倒装芯片具有低热阻、大电流、免打线、密排列等优势。近年来倒装LED芯片越来越受到重视，其市场规模和比重都在逐年增加，中大尺寸背光及高光效市场也在开始尝试倒装芯片方案，市场潜力巨大。由于中大尺寸芯片相较于小尺寸对电流扩散能力要求更高，一般采用插指结构设计能够提高电流扩散能力，然而要提高插指结构的电流扩散能力需要增加插指结构的数量，由于插指结构是金属材料，不透光，且插指越多，对LED芯片挡光越多，使得LED芯片发光效率降低。插指结构的数量少，电流扩散能力差，使得电阻增大，电压升高，也会降低发光效率。

综上所述，急需一种发光二极管芯片及其制作工艺以解决现有技术中存在的中大尺寸芯片发光效率低的问题。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种发光二极管芯片，具体技术方案如下：

一种发光二极管芯片，包括生长在布拉格反射层上的电流扩散金属层，所述电流扩散金属层包括间隔且交替设置的第一扩散金属层和第二扩散金属层，所述第一扩散金属层与生长在布拉格反射层下方的P电极通过穿通布拉格反射层的一号通孔连接，所述第二扩散金属层与生长在布拉格反射层下方的N电极通过穿通布拉格反射层的二号通孔连接。

优选的，所述发光二极管芯片还包括P焊接层和N焊接层，所述P焊接层和N焊接层间隔设置在电流扩散金属层上，在电流扩散金属层与P焊接层之间以及电流扩散金属层与N焊接层之间均设有绝缘层，在所述绝缘层上分别间隔设有多个三号通孔，用于实现P焊接层与第一扩散金属层之间以及N焊接层与第二扩散金属层之间连通。

优选的，所述第一扩散金属层和第二扩散金属层均包括依次生长在布拉格反射层上的Cr层、Al层、Ni层、Pt层、Ni层、Pt层、Au层、Pt层和Cr层。

优选的，所述第一扩散金属层和第二扩散金属层均包括依次生长在布拉格反射层上的Cr层、Al层、Ni层、Ti层、Ni层、Ti层、Au层、Ti层和Cr层。

优选的，所述发光二极管芯片，还包括衬底以及依次在衬底上生长的缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流阻挡层和透明导电层，在N型半导体层的一端设有一号台阶结构，所述N电极设置在N型半导体层的台阶面上，所述发光层、P型半导体层的长度与N型半导体层的上表面长度相等，所述电流阻挡层生长在P型半导体层的部分表面上，所述透明导电层生长在电流阻挡层和P型半导体层上，所述P电极设置在透明导电层上且位于电流阻挡层的正上方，所述透明导电层靠近N电极的一端与P型半导体层形成二号台阶结构。

本发明的第二目的在于提供一种发光二极管芯片的制作工艺，具体技术方案如下：

所述发光二极管芯片的制作工艺，包括如下步骤：

步骤1、在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流阻挡层和透明导电层，并采用ICP刻蚀方法形成一号台阶结构和二号台阶结构；

步骤2、采用ICP刻蚀方法将步骤1形成的一号台阶结构以及由透明导电层远离二号台阶结构的一端竖直向下刻蚀到衬底位置处形成单个晶元；