[发明专利]一种半导体封装结构及其制造方法、半导体器件

说明书

本发明提供一种封装结构和半导体器件。半导体封装结构包括：塑封层；第一互联结构层，第一互联结构层位于塑封层一侧表面，第一互联结构层包括第一金属层；转接板，转接板位于塑封层中，板体延展的平面垂直于第一互联结构层，转接板内具有转接板金属层，转接板金属层连接第一金属层；第一芯片，第一芯片位于第一互联结构层朝向塑封层一侧的表面，第一芯片连接第一金属层，塑封层包覆第一芯片；第二芯片，第二芯片位于第一互联结构层朝向塑封层一侧的表面，第二芯片连接第一金属层，塑封层包覆第一芯片；第一芯片和第二芯片为不同种类的芯片，第一芯片和第二芯片分别位于转接板的两侧。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种半导体封装结构及其制造方法、半导体器件。

背景技术

系统级封装的半导体封装结构中，同层的不同芯片通常需要高密度互联。通常的做法是通过多条平面互联线密集布线实现互联。但是这样的做法需要多层布线，由于工艺的限制线宽线距较大，使得布线区域在封装结构的水平面上占据较大的面积，不利于封装结构水平方向上的小型化。

发明内容

因此，本发明提供一种半导体封装结构及其制造方法、半导体器件，以解决系统级半导体封装结构同层的不同芯片之间互联，平面互联线的布线区影响封装结构的小型化的问题。

本发明提供一种半导体封装结构，包括：塑封层；第一互联结构层，第一互联结构层位于塑封层一侧表面，第一互联结构层包括第一金属层；转接板，转接板位于塑封层中，板体延展的平面垂直于第一互联结构层，转接板内具有转接板金属层，转接板金属层连接第一金属层；第一芯片，第一芯片位于第一互联结构层朝向塑封层一侧的表面，第一芯片连接第一金属层，塑封层包覆第一芯片；第二芯片，第二芯片位于第一互联结构层朝向塑封层一侧的表面，第二芯片连接第一金属层，塑封层包覆第二芯片；第一芯片和第二芯片为不同种类的芯片，第一芯片和第二芯片分别位于转接板的两侧。

可选的，转接板包括板体，板体具有相对的第一表面和第二表面，第一表面和第二表面分别为板体各个表面中面积最大的两个表面，第一表面垂直于第一互联结构层；第二表面垂直于第一互联结构层；第一表面具有第一底边，第一表面在第一底边一侧设置有多个第一底边接脚，多个第一底边接脚连接第一金属层；多个第一底边接脚还连接转接板金属层；第二表面具有第二底边，第二表面在第二底边一侧设置有多个第二底边接脚，多个第二底边接脚连接第一金属层；多个第二底边接脚还连接转接板金属层。

可选的，多个第一底边接脚平行于第一底边排列，多个第二底边接脚平行于第二底边排列。

可选的，第一芯片的数量为多个；和/或，第二芯片的数量为多个。

可选的，第一表面还设置有多个接点，第二表面还设置有多个接点，转接板金属层连接第一表面的多个接点和第二表面的多个接点；第一表面设置有第三元件，第三元件通过第一表面的接点连接转接板金属层；和/或，第二表面设置有第三元件，第三元件通过第二表面的接点连接转接板金属层；

可选的，第三元件为无源器件或芯片。

本发明还提供一种半导体封装结构的制造方法，包括以下步骤：形成塑封层；形成第一互联结构层，第一互联结构层位于塑封层一侧表面，第一互联结构层包括第一金属层；设置转接板，转接板位于塑封层中，板体延展的平面垂直于第一互联结构层，转接板内具有转接板金属层，转接板金属层连接第一金属层；贴装第一芯片，第一芯片位于第一互联结构层朝向塑封层一侧的表面，第一芯片连接第一金属层，塑封层包覆第一芯片；贴装第二芯片，第二芯片位于第一互联结构层朝向塑封层一侧的表面，第二芯片连接第一金属层，塑封层包覆第二芯片；其中第一芯片和第二芯片为不同种类的芯片，第一芯片和第二芯片分别位于转接板的两侧。