[发明专利]金属凸块结构及其制作方法与驱动基板在审
申请号: | 202110118630.9 | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN114823351A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 曾子章;陈铭如;罗正中;王金胜;唐伟森 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498;H01L27/12 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 宋兴;臧建明 |
地址: | 中国台湾桃*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 结构 及其 制作方法 驱动 | ||
1.一种金属凸块结构的制作方法,其特征在于,包括:
提供驱动基材,所述驱动基材上已形成有至少一接垫以及绝缘层,所述至少一接垫形成于所述驱动基材的配置面上且具有上表面,而所述绝缘层覆盖所述驱动基材的所述配置面与所述至少一接垫且暴露出所述至少一接垫的部分所述上表面;
形成图案化金属层于所述绝缘层所暴露出的所述至少一接垫的所述上表面上且延伸覆盖部分所述绝缘层;以及
进行化学镀程序,以于所述图案化金属层上形成至少一金属凸块,其中所述至少一金属凸块的第一延伸方向垂直于所述驱动基材的第二延伸方向。
2.根据权利要求1所述的金属凸块结构的制作方法,其特征在于,所述形成所述图案化金属层的步骤,包括:
形成催化剂层于所述绝缘层以及所述绝缘层所暴露出的所述至少一接垫的所述上表面上;以及
对所述催化剂层进行活化程序与图案化程序,而形成所述图案化金属层。
3.根据权利要求2所述的金属凸块结构的制作方法,其特征在于,形成所述催化剂层的方法包括喷墨印刷法。
4.根据权利要求2所述的金属凸块结构的制作方法,其特征在于,所述催化剂层的材质包括纳米钯、纳米金或纳米银。
5.根据权利要求2所述的金属凸块结构的制作方法,其特征在于,所述活化程序包括激光活化程序或加热程序。
6.根据权利要求1所述的金属凸块结构的制作方法,其特征在于,所述图案化金属层的材质包括钯、金或银。
7.根据权利要求1所述的金属凸块结构的制作方法,其特征在于,所述金属凸块的材质包括铜、金、锡或镍。
8.根据权利要求1所述的金属凸块结构的制作方法,其特征在于,所述金属凸块的剖面形状包括类圆形或矩形。
9.根据权利要求1所述的金属凸块结构的制作方法,其特征在于,所述至少一接垫的材质包括铟锡氧化物、钛、铜、钼、铝或铬。
10.根据权利要求1所述的金属凸块结构的制作方法,其特征在于,所述金属凸块的厚度介于1微米至10微米之间。
11.一种金属凸块结构,配置于驱动基材上,其中所述驱动基材上配置有接垫以及绝缘层,所述接垫配置于所述驱动基材的配置面上且具有上表面,而所述绝缘层覆盖所述配置面与所述接垫且暴露出所述接垫的部分所述上表面,所述金属凸块结构,其特征在于,包括:
图案化金属层,配置于所述绝缘层所暴露出的所述接垫的所述上表面上且延伸覆盖部分所述绝缘层;以及
金属凸块,配置于所述图案化金属层上,其中所述金属凸块的第一延伸方向垂直于所述驱动基材的第二延伸方向。
12.根据权利要求11所述的金属凸块结构,其特征在于,所述图案化金属层的材质包括钯、金或银。
13.根据权利要求11所述的金属凸块结构,其特征在于,所述金属凸块的材质包括铜、金、锡或镍。
14.根据权利要求11所述的金属凸块结构,其特征在于,所述金属凸块的剖面形状包括类圆形或矩形。
15.根据权利要求11所述的金属凸块结构,其特征在于,所述金属凸块的厚度介于1微米至10微米之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欣兴电子股份有限公司,未经欣兴电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110118630.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造