[发明专利]金属凸块结构及其制作方法与驱动基板在审
申请号: | 202110118630.9 | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN114823351A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 曾子章;陈铭如;罗正中;王金胜;唐伟森 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498;H01L27/12 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 宋兴;臧建明 |
地址: | 中国台湾桃*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 结构 及其 制作方法 驱动 | ||
本发明提供一种金属凸块结构及其制作方法与驱动基板。金属凸块结构的制作方法,包括以下步骤。提供驱动基材。驱动基材上已形成有至少一接垫以及绝缘层。接垫形成于驱动基材的配置面上且具有上表面。绝缘层覆盖驱动基材的配置面与接垫且暴露出接垫的部分上表面。形成图案化金属层于绝缘层所暴露出的接垫的上表面上且延伸覆盖部分绝缘层。进行化学镀程序,以于图案化金属层上形成至少一金属凸块。金属凸块的第一延伸方向垂直于驱动基材的第二延伸方向。本发明的金属凸块结构及其制作方法,其具有制程简单、低成本且不会造成环境污染等优势。
技术领域
本发明涉及一种凸块结构及其制作方法与基板,尤其涉及一种金属凸块结构及其制作方法与具有此金属凸块结构的驱动基板。
背景技术
目前主动式驱动(AM Driving)的微型发光二极管显示器(Micro LED Display),大都是使用薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)玻璃基板来驱动发光二极管。然而,薄膜晶体管为薄膜制程,其上的金属导线与发光区(pixel area)的铟锡氧化物(IndiumTin Oxide,ITO)仅为纳米级,因此当发光二极管或表面黏着元件(Surface Mount Device,SMD)要焊接(Solder Bonding)在铟锡氧化物导电层上面时,无法形成可靠的介面金属化合物(Intermetallic Compound,IMC)而黏接在一起。为了解决上述的问题,目前是采用电镀(Electrodeplating)的方式在铟锡氧化物导电层上形成一层厚铜。然而,电镀厚铜的制程冗长复杂,除了会增加制造的费用之外,因为是湿式制程,也容易造成环境污染。
发明内容
本发明是针对一种金属凸块结构及其制作方法,其具有制程简单、低成本且不会造成环境污染等优势。
本发明是针对一种驱动基板,包括上述的金属凸块结构,可具有较佳的结构可靠度。
根据本发明的实施例,金属凸块结构的制作方法,其包括以下步骤。提供驱动基材。驱动基材上已形成有至少一接垫以及绝缘层。接垫形成于驱动基材的配置面上且具有上表面。绝缘层覆盖驱动基材的配置面与接垫且暴露出接垫的部分上表面。形成图案化金属层于绝缘层所暴露出的接垫的上表面上且延伸覆盖部分绝缘层。进行化学镀(Electrodeless Plating,ELP)程序,以于图案化金属层上形成至少一金属凸块。金属凸块的第一延伸方向垂直于驱动基材的第二延伸方向。
在根据本发明的实施例的金属凸块结构的制作方法中,上述的形成图案化金属层的步骤,包括形成催化剂层于绝缘层以及绝缘层所暴露出的接垫的上表面上。对催化剂层进行活化程序与图案化程序,而形成图案化金属层。
在根据本发明的实施例的金属凸块结构的制作方法中,上述的形成催化剂层的方法包括喷墨印刷(Inkjet Printing)法。
在根据本发明的实施例的金属凸块结构的制作方法中,上述的催化剂层的材质包括纳米钯(Nano-Pd),或任何可还原化学铜的纳米金属例如纳米金或纳米银。
在根据本发明的实施例的金属凸块结构的制作方法中,上述的活化程序包括激光活化(Laser Activation)程序或加热程序。
在根据本发明的实施例的金属凸块结构的制作方法中,上述的图案化金属层的材质包括钯、金或银。
在根据本发明的实施例的金属凸块结构的制作方法中,上述的金属凸块的材质包括铜、金、锡或镍。
在根据本发明的实施例的金属凸块结构的制作方法中,上述的金属凸块的剖面形状包括类圆形或矩形。
在根据本发明的实施例的金属凸块结构的制作方法中,上述的接垫的材质包括铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,ITO),或任何溅镀的金属层例如钛、铜、钼、铝或铬。
在根据本发明的实施例的金属凸块结构的制作方法中,上述的金属凸块的厚度介于1微米至10微米之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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