[发明专利]X射线装置在审
申请号: | 202110118641.7 | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN114823745A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 王智弘 | 申请(专利权)人: | 睿生光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 宋兴;刘芳 |
地址: | 中国台湾南部科学园*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 射线 装置 | ||
1.一种X射线装置,其特征在于,包括:
感测面板,包括:
基板;
第一像素,设置在所述基板上且包括:
第一感光组件;以及
第一开关组件,设置在所述第一感光组件上;以及
闪烁体层,设置在所述感测面板上,且所述第一开关组件设置在所述闪烁体层与所述第一感光组件之间。
2.根据权利要求1所述的X射线装置,其特征在于,所述第一感光组件包括:
第一底电极,设置在所述基板上;
第一光电转换层,设置在所述第一底电极上;
第一顶电极,设置在所述第一光电转换层上,其中所述第一顶电极与所述第一底电极在所述基板的法线方向上至少部分重叠。
3.根据权利要求2所述的X射线装置,其特征在于,所述第一底电极包括金属电极。
4.根据权利要求2所述的X射线装置,其特征在于,所述第一顶电极包括氧化铟锡电极。
5.根据权利要求2所述的X射线装置,其特征在于,所述感测面板还包括:
第一绝缘层,设置在所述第一感光组件上且具有第一贯孔,所述第一贯孔暴露所述第一顶电极;
第一参考线路,设置在所述第一绝缘层上且通过所述第一贯孔而与所述第一顶电极电连接;
闸绝缘层,设置在所述第一参考线路上且具有第二贯孔,所述第二贯孔暴露所述第一参考线路,其中所述第一参考线路与所述第一开关组件的漏极通过所述第二贯孔电连接;以及
第二绝缘层,设置在所述第一开关组件上。
6.根据权利要求5所述的X射线装置,其特征在于,所述第二绝缘层具有第三贯孔以及第四贯孔,所述第三贯孔连接所述第二贯孔,且所述第四贯孔暴露所述第一开关组件的所述漏极,
所述感测面板还包括:
第二参考线路,设置在所述第二绝缘层上且延伸进所述第二贯孔、所述第三贯孔以及所述第四贯孔中,其中所述第一参考线路以及所述第一开关组件的所述漏极通过所述第二参考线路电连接。
7.根据权利要求5所述的X射线装置,其特征在于,所述第一开关组件的所述漏极与所述第一参考线路接触。
8.根据权利要求2所述的X射线装置,其特征在于,所述感测面板还包括:
多条扫描线,设置在所述基板上;
多条数据线,设置在所述基板上且与所述多条扫描线交错设置;以及
第二像素,设置在所述基板上且所述第一像素以及所述第二像素沿所述多条数据线的延伸方向排列,所述第二像素包括:
第二感光组件,包括第二底电极、第二光电转换层以及第二顶电极,所述第二光电转换层设置在所述第二底电极与所述第二顶电极之间;以及
第二开关组件,设置在所述第二感光组件上;以及
偏压线路,设置在所述基板上且设置在所述第一像素与所述第二像素之间,其中所述偏压线路将所述第一感光组件的第一底电极以及所述第二感光组件的所述第二底电极电连接。
9.根据权利要求8所述的X射线装置,其特征在于,所述偏压线路、所述第一感光组件的所述第一底电极以及所述第二感光组件的所述第二底电极属于同一层。
10.根据权利要求8所述的X射线装置,其特征在于,所述感测面板还包括:
第三像素,设置在所述基板上且所述第一像素以及所述第三像素沿所述多条扫描线的延伸方向排列,所述第三像素包括:
第三感光组件,包括第三底电极、第三光电转换层以及第三顶电极,所述第三光电转换层设置在所述第三底电极与所述第三顶电极之间;以及
第三开关组件,设置在所述第三感光组件上,其中所述第一感光组件的第一底电极以及所述第三感光组件的所述第三底电极彼此电性绝缘。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于睿生光电股份有限公司,未经睿生光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110118641.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的