[发明专利]一种基于内过滤流的三维电极均质聚吡咯纳米线阵列的合成方法

权利要求书

1.一种基于内过滤流的三维电极均质聚吡咯纳米线阵列的合成方法，其特征在于，采用内过滤合成法实现在三维电极材料表面和内部生成均质聚吡咯纳米线阵列，具体包括以下步骤：

（A） 选择三维材料作为电极，搭建内过滤合成装置，合成液从下向上泵入电极内过滤合成装置，并形成回路，将装置阳极和第一阴极分别与电源的正极和负极连接，启动电源，反应5-10min；

（B） 改变水流方向和更换阴极位置，即合成液从上往下泵入电极内过滤合成装置，并形成回路，将装置第二阴极和电源负极连接，启动电源，反应5-10min；

（C） 往复进行步骤（A）和步骤（B），直至停止运行装置，取出装置阳极材料用纯水清洗，即得表面和内部生成均质聚吡咯纳米线阵列的三维电极；

所述步骤（A）和步骤（B），总反应时间为10-60 min；

所述步骤（A）和步骤（B）使用的电源电压为1.5-5 V、泵的流速为10-100 mL/min。

2.根据权利要求1所述的基于内过滤流的三维电极均质聚吡咯纳米线阵列的合成方法，其特征在于，所述合成方法采用的装置为电极内过滤合成装置，从下往上依次包括：第一布水口、第一阴极反应室、第一空腔、阳极反应室、第二空腔、第二阴极反应室、第二布水口，第一阴极反应室、第二阴极反应室分别与阳极反应室相连。

3.根据权利要求2所述的基于内过滤流的三维电极均质聚吡咯纳米线阵列的合成方法，其特征在于，所述电极内过滤合成装置还包括电源。

4.根据权利要求1所述的基于内过滤流的三维电极均质聚吡咯纳米线阵列的合成方法，其特征在于，所述电极内过滤合成装置的阳极电极材料为碳基或金属基多孔导电材料。

5.根据权利要求4所述的基于内过滤流的三维电极均质聚吡咯纳米线阵列的合成方法，其特征在于，所述碳基材料为石墨烯海绵、碳纳米管海绵、碳纤维毡、玻璃碳材料中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的基于内过滤流的三维电极均质聚吡咯纳米线阵列的合成方法，其特征在于，所述阳极电极材料的厚度为20-100 mm。

7.根据权利要求1所述的基于内过滤流的三维电极均质聚吡咯纳米线阵列的合成方法，其特征在于，所述合成液由摩尔浓度为0.2mol/L磷酸盐缓冲液、0.1mol/L的吡咯和0.1mol/L掺杂剂混合而成。

8.根据权利要求7所述的基于内过滤流的三维电极均质聚吡咯纳米线阵列的合成方法，其特征在于，所述摩尔浓度为0.2 mol/L磷酸盐缓冲液、0.1mol/L的吡咯和0.1 mol/L掺杂剂按照体积比为1：1：1配置。