[发明专利]一种掩膜板及其制作方法在审
申请号: | 202110119327.0 | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN112859510A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 钱超;杨波;洪明;王有明 | 申请(专利权)人: | 江苏高光半导体材料有限公司 |
主分类号: | G03F1/50 | 分类号: | G03F1/50;G03F1/68 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董成 |
地址: | 212400 江苏省镇*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掩膜板 及其 制作方法 | ||
本发明涉及显示技术技术领域,且公开了一种掩膜板,包括透光底板,所述透光底板的上方活动安装有定型框架,所述定型框架的内部活动安装有块状单元格,所述块状单元格的中部开设有安装槽,所述安装槽的侧面开设有定位孔,所述安装槽的边角处开设有卡槽,所述安装槽和卡槽的内部活动安装有定位架,所述定位架的两侧均开设有转动卡槽。该掩膜板及其制作方法,通过在在定型框架的上下两端均开设有转动卡槽,且转动卡槽的内部活动安装有转动圆板,转动圆板的中部设有像素图案,像素图案可在转动卡槽的内部进行转动和拆卸,通过像素图案之间的图形组合形成要加工的掩膜图案,便于自动灵活的进行调整,提高装置的重复使用率,节省加工生产成本。
技术领域
本发明涉及显示技术技术领域,具体为一种掩膜板及其制作方法。
背景技术
光刻掩膜版(又称光罩,英文为MaskReticle),简称掩膜版,是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版,由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形结构,再通过曝光过程将图形信息转移到产品基片上,待加工的掩膜版由玻璃/石英基片、铬层和光刻胶层构成,其图形结构可通过制版工艺加工获得,常用加工设备为直写式光刻设备,如激光直写光刻机、电子束光刻机等,掩膜版应用十分广泛,在涉及光刻工艺的领域都需要使用掩膜版,如IC(IntegratedCircuit,集成电路)、FPD(FlatPanelDisplay,平板显示器)、PCB(PrintedCircuitBoards,印刷电路板)、MEMS(MicroElectroMechanicalSystems,微机电系统)等。
在有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)制造过程中,通常采用高精度金属掩膜板(FineMetalMask,FMM)作为蒸镀掩膜板,将发光材料蒸镀在阵列基板上对应的开口区域形成OLED器件,由于金属掩膜板的厚度较小,而且中间形成为布满开孔的网状结构,使得整个金属掩膜板容易产生变形,当将金属掩膜板拉伸并固定于边框时,容易产生边缘区域与开孔的设置区域相连接的部分向上翘曲而边缘区域又向下弯曲的褶皱现象。
另外,在进行蒸镀前,金属掩膜板与待蒸镀基板贴合时,设置开孔的中间区域部分也易形成褶皱,又由于金属掩膜板上的边缘区域未设置有开孔,相较于开孔的设置区域,在边缘区域的单位面积内所受磁性吸附力大于开孔设置区域的单位面积内所受磁性吸附力,从而限制了中间开孔区域的褶皱及开孔区和边缘区连接处的褶皱向边缘的扩展,使得褶皱堆积在金属掩膜板的内部,当金属掩膜板与待蒸镀基板之间产生褶皱时,两者之间存在间隙,进而在蒸镀时使得褶皱在待蒸镀基板的对应区域产生蒸镀阴影并造成混色,从而造成产品不良。
发明内容
本发明提供了一种掩膜板及其制作方法,具备便于均匀拉伸形变、便于使用和维修、具有灵活调整单元特性的优点,解决了上述背景技术中提到的问题。
本发明提供如下技术方案:一种掩膜板,包括透光底板,所述透光底板的上方活动安装有定型框架,所述定型框架的内部活动安装有块状单元格,所述块状单元格的中部开设有安装槽,所述安装槽的侧面开设有定位孔,所述安装槽的边角处开设有卡槽,所述安装槽和卡槽的内部活动安装有定位架,所述定位架的两侧均开设有转动卡槽,所述转动卡槽的中部固定安装有透光板,所述转动卡槽的内部活动安装有转动圆板,所述转动圆板的中部固定安装有像素图案,所述定位架的四个侧壁上均固定安装有支撑杆,所述支撑杆的顶端固定安装有堵头。
优选的,所述定型框架的上方活动安装有面板,所述定型框架和面板的四角处均开设有连接孔,所述透光底板的上端固定安装有安装螺栓,所述连接孔套接在安装螺栓的上方,所述安装螺栓的上端开设有转动孔,所述转动孔的内部活动安装有连接圆环。
优选的,所述定型框架的外侧面上均开设有活动槽,所述活动槽的中部开设有第二连接孔,所述第二连接孔的内部活动安装有支撑杆。
优选的,所述连接圆环为圆环状连接环,且所述安装螺栓和连接圆环均匀连接在透光底板、定型框架和面板的四角处。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备