[发明专利]一种可调控尺寸的无溶剂法合成TS-1沸石的方法

权利要求书

1.一种可调控尺寸的无溶剂法合成TS-1沸石的方法，其特征在于，包括以下步骤：

将硅源和含有水的有机模板剂置于研钵中研磨至粒径为0.5-1μm，然后加入纯硅沸石晶种和钛源继续研磨至粒径为0.1-0.5μm，再置于反应釜中晶化反应，将所得产物进行抽滤、烘干、煅烧，得TS-1沸石。

2.根据权利要求1所述一种可调控尺寸的无溶剂法合成TS-1沸石的方法，其特征在于，所述硅源、有机模板剂、水、钛源的摩尔比为1∶0.1∶1.7～5.4∶0.01～0.02，所述纯硅沸石晶种与硅源质量比为0.0125～0.1∶1。

3.根据权利要求1所述一种可调控尺寸的无溶剂法合成TS-1沸石的方法，其特征在于，所述晶化反应温度为180℃，晶化反应时间为24～48h。

4.根据权利要求1所述一种可调控尺寸的无溶剂法合成TS-1沸石的方法，其特征在于，所述硅源是气相二氧化硅。

5.根据权利要求1所述一种可调控尺寸的无溶剂法合成TS-1沸石的方法，其特征在于，所述有机模板剂是四丙基氢氧化铵。

6.根据权利要求1所述一种可调控尺寸的无溶剂法合成TS-1沸石的方法，其特征在于，所述钛源是硫酸钛。

7.根据权利要求1所述一种可调控尺寸的无溶剂法合成TS-1沸石的方法，其特征在于，所述纯硅沸石晶种粒径为80nm～500nm。

8.根据权利要求1所述一种可调控尺寸的无溶剂法合成TS-1沸石的方法，其特征在于，所述烘干温度为80℃，烘干时间为12-24h，煅烧温度为550℃，煅烧时间为4-6h。