[发明专利]半导体元件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体元件的形成方法，包括：

沉积一反射膜堆叠于一目标层上，该反射膜堆叠包括一第一材料和一第二材料的交替膜层，该第一材料具有比该第二材料更高的折射率；

沉积一光敏层于该反射膜堆叠上；

图案化该光敏层以形成一第一开口，露出该反射膜堆叠，其中图案化该光敏层包括将该光敏层暴露于一图案化能量源，其中该反射膜堆叠反射至少一部分的该图案化能量源至该光敏层的背侧；

通过该第一开口图案化该反射膜堆叠以形成一第二开口，露出该目标层；以及

通过该第二开口图案化该目标层。

2.如权利要求1所述的半导体元件的形成方法，其中，该第一材料的一膜层厚度对该第二材料的一膜层厚度的比例是由1：1至3：2。

3.如权利要求1所述的半导体元件的形成方法，其中，该图案化能量源包括极紫外辐射。

4.一种半导体元件的形成方法，包括：

形成一多层光阻，其中形成该多层光阻包括：

形成一反射膜堆叠，其包括一第一反射材料和一第二反射材料的交替膜层，其中该第一反射材料的折射率对该第二反射材料的折射率的比例是由1.05至1.10；以及

形成一光敏层于该反射膜堆叠的所述交替膜层上；

图案化该光敏层和该反射膜堆叠；以及

使用该反射膜堆叠作为遮罩以图案化一目标层。

5.如权利要求4所述的半导体元件的形成方法，其中，该第二反射材料包括钼。

6.一种半导体元件的形成方法，包括：

形成一反射膜堆叠，其包括一第一材料和一第二材料的交替膜层，该第一材料不同于该第二材料；

将一光敏层的前侧暴露于一辐射束，该辐射束包括极紫外辐射，其中该辐射束的一部分由该反射膜堆叠的该第一材料和该第二材料之间的界面反射至该光敏层的背侧；

将该光敏层暴露于一显影剂以移除一部分的该光敏层，露出该反射膜堆叠；

使用该光敏层作为遮罩以蚀刻该反射膜堆叠；以及

使用该反射膜堆叠作为遮罩以蚀刻该反射膜堆叠下方的一目标层，其中该目标层包括一半导体材料、一导电层、或一介电层。

7.如权利要求6所述的半导体元件的形成方法，还包括：

沉积一平面层于该目标层上；以及

使用化学机械平坦化制程平坦化该平面层，其中该反射膜堆叠是形成于该平面层上，且其中该目标层包括一非平坦顶面。

8.如权利要求6所述的半导体元件的形成方法，还包括将该反射膜堆叠暴露于一助粘剂，该助粘剂包括六甲基二硅氮烷。

9.如权利要求6所述的半导体元件的形成方法，其中，该反射膜堆叠是直接形成于该目标层上。

10.如权利要求6所述的半导体元件的形成方法，还包括形成一蚀刻选择比层于该目标层上，其中该反射膜堆叠是形成于该蚀刻选择比层上，其中该蚀刻选择比层和该目标层之间的蚀刻选择比大于该反射膜堆叠和该目标层之间的蚀刻选择比。