[发明专利]一种半导体装置封装

权利要求书

1.一种半导体装置封装，包括：

一衬底，具有一第一表面及与所述第一表面相对的一第二表面；

一热传导结构，设置在所述衬底的所述第二表面上，其中所述热传导结构具有复数个鳍，所述复数个鳍的每一个由所述衬底的所述第二表面朝向所述第一表面延伸；

一第一氮化物半导体层，设置在所述热传导结构上；以及

一第二氮化物半导体层，设置在所述第一氮化物半导体层上并且其带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙。

2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，更包括：

一第一热传导层，设置于所述衬底的所述第一表面上。

3.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中所述第一热传导层包括二维材料。

4.根据权利要求3所述的半导体装置封装，其中所述第一热传导层包括石墨烯。

5.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中所述第一热传导层的一厚度介于0.3nm-1.0nm之间。

6.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中所述第一热传导层与所述复数个鳍接触。

7.根据权利要求2所述的半导体装置封装，更包括：

一第二热传导层，设置于所述第一热传导层上，其中所述第二热传导层的材料与所述第一热传导层的材料不同。

8.根据权利要求7所述的半导体装置封装，其中所述第二热传导层包括金属。

9.一种半导体装置封装，包括：

一衬底，具有一第一表面及与所述第一表面相对的一第二表面；

一热传导结构，设置在所述衬底的所述第二表面上，其中所述热传导结构具有一主体部及至少一突出部，所述突出部贯穿所述衬底；

一第一氮化物半导体层，设置在所述热传导结构的所述主体部上；以及

一第二氮化物半导体层，设置在所述第一氮化物半导体层上并且其带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙。

10.根据权利要求9所述的半导体装置封装，更包括：

一第一热传导层，设置于所述衬底的所述第一表面上。

11.根据权利要求10所述的半导体装置封装，其中所述第一热传导层包括二维材料。

12.根据权利要求11所述的半导体装置封装，其中所述第一热传导层包括石墨烯。

13.根据权利要求10所述的半导体装置封装，更包括：

一第二热传导层，设置于所述第一热传导层上，其中所述第二热传导层的材料与所述第一热传导层的材料不同。

14.根据权利要求13所述的半导体装置封装，更包括：

一闸极，设置在所述第二氮化物半导体层上，其中所述闸极与所述第二热传导层电性隔离。

15.根据权利要求14所述的半导体装置封装，更包括：

一第一电极，设置在所述第二氮化物半导体层上；以及

一第二电极，设置在所述第二氮化物半导体层上，其中所述第一电极及所述第二电极与所述第二热传导层电性隔离。