[发明专利]一种半导体装置封装

说明书

本揭露提供了一种半导体装置封装。半导体装置封装包含衬底、热传导结构、第一氮化物半导体层及第二氮化物半导体层。所述衬底具有一第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述热传导结构设置在所述基板的所述第二表面上，其中所述热传导结构具有复数个鳍，所述复数个鳍的每一个由所述基板的所述第二表面朝向所述第一表面延伸。所述第一氮化物半导体层设置在所述热传导结构上。所述第二氮化物半导体层设置在所述第一氮化物半导体层上并且其带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置封装，并且更具体地涉及一种包含二维材料(twodimensional material)的半导体装置封装。

背景技术

包含直接能隙半导体的组件，例如包含III-V族材料或III-V族化合物(类别：III-V族化合物)的半导体组件可以在各种条件下或各种环境中(例如，在不同的电压和频率下)操作或工作。

半导体组件可以包含异质结双极性晶体管(HBT，heterojunction bipolartransistor)、异质结场效应晶体管(HFET，heterojunction field effect transistor)、高电子迁移率晶体管(HEMT，high-electron-mobility transistor)、调制掺杂场效应晶体管(MODFET，modulation-doped FET)等。

发明内容

根据本公开的一些实施例，一种半导体装置封装包含衬底、热传导结构、第一氮化物半导体层及第二氮化物半导体层。所述衬底具有一第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述热传导结构设置在所述基板的所述第二表面上，其中所述热传导结构具有复数个鳍，所述复数个鳍的每一个由所述基板的所述第二表面朝向所述第一表面延伸。所述第一氮化物半导体层设置在所述热传导结构上。所述第二氮化物半导体层设置在所述第一氮化物半导体层上并且其带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙。

根据本公开的一些实施例，一种半导体装置封装包含衬底、热传导结构、第一氮化物半导体层及第二氮化物半导体层。所述衬底具有一第一表面及与所述第一表面相对的一第二表面。热传导结构设置在所述衬底的所述第二表面上。所述热传导结构具有主体部及至少一突出部。所述突出部贯穿所述基板。所述第一氮化物半导体层设置在所述热传导结构的所述主体部上。所述第二氮化物半导体层设置在所述第一氮化物半导体层上并且其带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙。

根据本公开的一些实施例，一种半导体装置封装包含衬底、热传导结构、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层及二维材料层。所述衬底具有一第一表面及与所述第一表面相对的一第二表面。所述热传导结构设置在所述衬底的所述第二表面上。所述热传导结构具有至少一突出部，所述突出部贯穿所述基板。所述第一氮化物半导体层设置在所述热传导结构上。所述第二氮化物半导体层设置在所述第一氮化物半导体层上并且其带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙。所述二维材料层设置在所述基板的所述第一表面上。所述二维材料层与所述热传导结构的所述突出部接触。

附图说明

当与附图一起阅读以下详细描述时，可以根据以下详细描述容易地理解本公开的各方面。应当注意的是，各种特征可能未按比例绘制。实际上，为了讨论的清楚起见，可以任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的截面图。

图2A、图2B、图2C、图2D、图2E、图2F、图2G及图2H展示了根据本公开的一些实施例的用于制造半导体装置封装的方法的各个阶段。

贯穿附图和具体实施方式，使用共同的附图标记来指示相同或类似的组件。根据以下结合附图进行的详细描述，本公开将更加明显。

具体实施方式