[发明专利]具有电磁屏蔽功能的板级倒装芯片封装结构及其制备方法在审
申请号: | 202110126376.7 | 申请日: | 2021-01-29 |
公开(公告)号: | CN112928035A | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 崔成强;杨斌;罗绍根;匡自亮 | 申请(专利权)人: | 广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/482;H01L23/485;H01L23/552 |
代理公司: | 广州鼎贤知识产权代理有限公司 44502 | 代理人: | 刘莉梅 |
地址: | 528225 广东省佛山市南海区狮山镇*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 电磁 屏蔽 功能 倒装 芯片 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有电磁屏蔽功能的板级倒装芯片封装结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
制备芯片封装用基底,并使所述芯片封装用基底的一侧具有外露的第一重布线层;
提供若干芯片组,将所述芯片组倒装于所述第一重布线层上并进行塑封,形成塑封层;
对所述塑封层进行开孔处理,形成位于每相邻两个所述芯片组之间的锥形槽以及位于其中一个所述芯片组远离另一个所述芯片组一侧的若干过孔,并使所述锥形槽和所述过孔分别延伸至所述第一重布线层;
在所述塑封层表面、所述锥形槽的槽壁及所述过孔孔壁制作第二重布线层;
提供若干金属凸块,将所述金属凸块植入所述第二重布线层的焊盘区;
在所述芯片封装用基底远离所述第一重布线层的一侧制作金属屏蔽层。
2.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽功能的板级倒装芯片封装结构的制备方法,其特征在于,提供玻璃载板,于所述玻璃载板的一侧贴覆临时键合胶,并在所述临时键合胶上制作第一种子层和第一重布线层,制得所述芯片封装用基底;
将所述芯片组沾上纳米金属粉末并倒装于所述第一重布线层上之后,采用激光由所述玻璃载板远离所述芯片组的一面进行烧结,形成使所述芯片组的I/O口与所述第一重布线层固定连接的金属连接层,然后再进行塑封;
在所述玻璃载板远离所述第一重布线层的一侧制作金属屏蔽层。
3.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽功能的板级倒装芯片封装结构的制备方法,其特征在于,在所述塑封层和所述第二重布线层上制作阻焊层,使所述阻焊层的上表面为一平面,然后在所述阻焊层的上表面开设孔位,使所述第二重布线层的焊盘区外露,再植入所述金属凸块。
4.一种采用权利要求1至3任一项所述的制备方法制得的具有电磁屏蔽功能的板级倒装芯片封装结构,其特征在于,包括:
芯片封装用基底,所述芯片封装用基底的一侧具有外露的第一重布线层;
若干芯片组,倒装于所述芯片封装用基底上并与所述第一重布线层电连接;
塑封层,位于所述芯片封装用基底的一侧并包覆所述芯片组,所述塑封层上且位于每相邻两个芯片组之间开设有一道延伸至所述第一重布线层的锥形槽,且所述塑封层上邻近相邻两个所述芯片组的外周间隔开设有若干延伸至所述第一重布线层的过孔;
第二重布线层,位于所述塑封层上并延伸至所述锥形槽的槽壁和所述过孔的孔壁与所述第一重布线层电连接;
若干金属凸块,与所述第二重布线层的焊盘区电连接;
金属屏蔽层,位于所述芯片封装用基底远离所述第一重布线层的一侧。
5.根据权利要求4所述的具有电磁屏蔽功能的板级倒装芯片封装结构,其特征在于,所述芯片封装用基底包括玻璃载板、贴于所述玻璃载板一侧的临时键合胶和位于所述临时键合胶上的所述第一重布线层,所述金属屏蔽层位于所述玻璃载板远离所述第一重布线层的一侧。
6.根据权利要求5所述的具有电磁屏蔽功能的板级倒装芯片封装结构,其特征在于,所述芯片封装用基底还包括第一种子层,所述第一种子层位于所述第一重布线层靠近所述临时键合胶的一侧。
7.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽功能的板级倒装芯片封装结构,其特征在于,还包括金属连接层,所述金属连接层位于所述芯片的I/O口与所述第一重布线层之间,用以电连接所述芯片的I/O口与所述第一重布线层。
8.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽功能的板级倒装芯片封装结构,其特征在于,还包括位于所述第二重布线层靠近所述塑封层一侧以及所述锥形槽的槽壁和所述过孔的孔壁的第二种子层。
9.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽功能的板级倒装芯片封装结构,其特征在于,还包括阻焊层,所述阻焊层位于所述塑封层上并覆盖所述第二重布线层,且所述阻焊层开设有使所述第二重布线层的焊盘区外露的孔位,所述金属凸块植入所述孔位内与所述焊盘区电连接。
10.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽功能的板级倒装芯片封装结构,其特征在于,所述过孔为圆柱形孔或者锥形孔或者所述过孔靠近所述芯片组的一侧为斜面,相对的另一面为沿竖直方向延伸的弧形面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造