[发明专利]具有电磁屏蔽功能的板级倒装芯片封装结构及其制备方法在审
申请号: | 202110126376.7 | 申请日: | 2021-01-29 |
公开(公告)号: | CN112928035A | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 崔成强;杨斌;罗绍根;匡自亮 | 申请(专利权)人: | 广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/482;H01L23/485;H01L23/552 |
代理公司: | 广州鼎贤知识产权代理有限公司 44502 | 代理人: | 刘莉梅 |
地址: | 528225 广东省佛山市南海区狮山镇*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 电磁 屏蔽 功能 倒装 芯片 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
本发明公开一种具有电磁屏蔽功能的板级倒装芯片封装结构的制备方法,包括:制备芯片封装用基底,使其一侧具有外露的第一重布线层;提供若干芯片组,将其倒装于第一重布线层上并进行塑封;对塑封层开孔,形成位于每相邻两个芯片组之间的锥形槽以及位于其中一芯片组远离另一芯片组一侧的若干过孔,并使锥形槽和过孔分别延伸至第一重布线层;在塑封层表面、锥形槽槽壁及过孔孔壁制作第二重布线层;提供若干金属凸块,将其植入第二重布线层的焊盘区;在芯片封装用基底远离第一重布线层的一侧制作金属屏蔽层。本发明便于倒装芯片封装结构的四周拓展及后续根据实际需要对其进行三维结构的导通;可释放应力、降低翘曲,使其具备电磁屏蔽功能。
技术领域
本发明涉及集成电路封装技术领域,具体涉及一种具有电磁屏蔽功能的板级倒装芯片封装结构及其制备方法。
背景技术
随着电子产品小型化和集成化的潮流,微电子封装技术的高密度化已在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了顺应新一代电子产品的发展,尤其是手机、笔记本、智能穿戴设备等产品的发展,芯片向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。
在封装过程中,由于塑胶、硅及金属等材料的热膨胀系数的差别,导致这几种材料的体积变化不同步,从而产生应力并导致翘曲。其中,芯片与注塑材料热膨胀系数的差别使注塑材料冷却过程中产生的应力是封装技术中翘曲产生的最主要原因。
此外,在芯片扇出型封装过程中,通常需要对包覆的倒装芯片的塑封层钻孔处理再电镀制作导电柱,从而实现将倒转芯片电性引出。然而,采用该工艺方法时不利于芯片封装结构的四周拓展及后续三维结构的导通。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有电磁屏蔽功能的板级倒装芯片封装结构及其制备方法,采用该制备方法有利于板级倒装芯片封装结构的四周拓展及后续三维结构的导通,并且可以有效降低翘曲,且该板级倒装芯片封装结构具有良好的电磁屏蔽功能。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一方面,提供一种具有电磁屏蔽功能的板级倒装芯片封装结构的制备方法,包括以下步骤:
制备芯片封装用基底,并使所述芯片封装用基底的一侧具有外露的第一重布线层;
提供若干芯片组,将所述芯片组倒装于所述第一重布线层上并进行塑封,形成塑封层;
对所述塑封层进行开孔处理,形成位于每相邻两个所述芯片组之间的锥形槽以及位于其中一个所述芯片组远离另一个所述芯片组一侧的若干过孔,并使所述锥形槽和所述过孔分别延伸至所述第一重布线层;
在所述塑封层表面、所述锥形槽的槽壁以及所述过孔孔壁制作第二重布线层;
提供若干金属凸块,将所述金属凸块植入所述第二重布线层的焊盘区;
在所述芯片封装用基底远离所述第一重布线层的一侧制作金属屏蔽层。
本发明通过对包覆倒装于第一重布线层上的芯片组的塑封层进行开孔处理,形成位于每相邻两个所述芯片组之间的锥形槽以及位于其中一个所述芯片组远离另一个所述芯片组一侧的若干过孔,并在锥形槽的两侧槽壁、所述过孔的孔壁以及塑封层上制作第二重布线层,使第二重布线层直接与第一重布线层电连接,便于倒装芯片封装结构的四周拓展及后续根据实际需要对其进行三维结构的导通;同时,锥形槽的开设有利于释放应力、降低翘曲;在芯片封装用基底的背面制作的金属屏蔽层,可以使板级倒装芯片封装结构具备良好的电磁屏蔽功能,且金属屏蔽层位于芯片封装用基底的背面,不会影响板级倒装芯片封装结构的内部的芯片的封装。
作为具有电磁屏蔽功能的板级倒装芯片封装结构的制备方法的一种优选方案,提供玻璃载板,于所述玻璃载板的一侧贴覆临时键合胶,并在所述临时键合胶上制作第一种子层和第一重布线层,制得所述芯片封装用基底;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造