[发明专利]半导体装置的制造方法、记录介质和基板处理装置在审
| 申请号： | 202110127537.4 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN113206001A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 小川有人 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;李宏轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 记录 介质 处理 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，包括：
(a)将形成有氧化膜的基板搬入形成有含金属膜的处理室内的工序，
(b)向所述处理室内供给含有14族元素和氢的气体或含氧气体的至少一方的工序，和
(c)在(b)工序后在所述基板上形成所述含金属膜的工序。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
在(b)中，供给所述含有14族元素和氢的气体，在所述处理室的壁上形成含有14族元素的膜。
3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述含有14族元素和氢的气体含有SiH4、Si2H6、Si3H8中的至少任一种。
4.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述含有14族元素和氢的气体含有SiH4、Si2H6、Si3H8中的至少任一种。
5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述含有14族元素和氢的气体含有GeH4、Ge2H6、Ge3H8中的至少一种。
6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
在(b)中，供给含氧气体，将在所述处理室的壁上形成的所述含金属膜改性为金属氧化膜。
7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
(b)中的所述处理室内的压力比(c)中的所述处理室内的压力低，
(b)中供给的气体的流量比(c)中供给的气体的流量少。
8.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，
(b)中的所述处理室内的压力比(c)中的所述处理室内的压力低，
(b)中供给的气体的流量比(c)中供给的气体的流量少。
9.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，
(b)中的所述处理室内的压力比(c)中的所述处理室内的压力低，
(b)中供给的气体的流量比(c)中供给的气体的流量少。
10.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
(b)中的所述处理室内的温度比(c)中的所述处理室内的温度高。
11.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
在(b)之后，进行(a)和(c)。
12.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
交替反复进行(b)和(c)。
13.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，
交替反复进行(b)和(c)。
14.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
包括(d)向所述基板供给含金属气体的工序和(e)供给反应气体的工序，
在(c)中，交替反复进行(d)和(e)，在所述基板上形成含金属膜。
15.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，
包括(d)向所述基板供给含金属气体的工序和(e)供给反应气体的工序，
在(c)中，交替反复进行(d)和(e)，在所述基板上形成含金属膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社国际电气，未经株式会社国际电气许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110127537.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
