[发明专利]半导体装置的制造方法、记录介质和基板处理装置在审
| 申请号： | 202110127537.4 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN113206001A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 小川有人 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;李宏轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 记录 介质 处理 | ||
本发明提供一种半导体装置的制造方法、记录介质和基板处理装置，能够抑制处理室内因膜剥落而产生颗粒。本发明的半导体装置的制造方法包括：(a)将形成有氧化膜的基板搬入形成有含金属膜的处理室内的工序，(b)向处理室内供给含有14族元素和氢的气体或含氧气体的至少一种的工序，和(c)在(b)工序后在基板上形成含金属膜的工序。
技术领域
本公开涉及半导体装置的制造方法、记录介质和基板处理装置。
背景技术
作为具有三维结构的NAND型闪存、DRAM的行地址线路(wordline)，例如使用低电阻的钨(W)膜。此外，在该W膜和绝缘膜之间有时设置例如氮化钛(TiN)膜来作为障壁膜(例如，参照专利文献1和专利文献2)。TiN膜具有提高W膜和绝缘膜的密合性的作用，有时在该TiN膜上形成用于W膜生长的成核膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-66263号公报
专利文献2：国际公开第2019/058608号小册子
发明内容
发明要解决的课题
但是，这样的成核膜也会形成在处理室内的内壁、伪基板(dummy substrate)等上，如果累积膜厚变厚，则会作为大晶粒而异常生长，有时产生膜剥落。
本公开的目的在于，提供一种技术，能够抑制在处理室内因膜剥落而引起的颗粒的产生。
解决课题的方法
根据本公开的一方面，提供一种半导体装置的制造方法，包括(a)将形成有氧化膜的基板搬入形成有含金属膜的处理室内的工序、(b)向上述处理室内供给含有14族元素和氢的气体或含氧气体的至少一方的工序和(c)在(b)工序后在上述基板上形成上述含金属膜的工序。
发明效果
根据本公开，能够抑制处理室内因膜剥落而引起的颗粒的产生。
附图说明
图1是显示本公开的一实施方式中的基板处理装置的纵型处理炉的概略的纵截面图。
图2是图1中的A-A线概略横截面图。
图3是本公开的一实施方式中的基板处理装置的控制器的概略构成图，是用框图来显示控制器的控制系统的图。
图4是显示本公开的一实施方式中的成膜阶段的图。
图5是显示本公开的一实施方式中的成膜阶段的变形例的图。
图6是显示对比较例和实施例中在伪基板上形成的TiN膜的表面粗糙度进行比较的图。
符号说明
10：基板处理装置，121：控制器，200：晶圆(基板)，201：处理室。
具体实施方式
以下，参照图1～4来进行说明。
(1)基板处理装置的构成
基板处理装置10具有设置了作为加热设备(加热机构、加热系统)的加热器207的处理炉202。加热器207为圆筒形状，由作为保持板的加热器基座(未图示)支撑而垂直安装。
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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