[发明专利]版图修正方法及系统、掩模版、设备和存储介质

权利要求书

1.一种版图修正方法，其特征在于，包括：

获取芯片设计版图，所述芯片设计版图包括多层具有目标图形的版图层，所述芯片设计版图包括标准单元区，所述标准单元区包括用于形成第一标准单元的第一标准单元区、以及用于形成第二标准单元且在第一方向上与所述第一标准单元相邻接的第二标准单元区，在第二方向上，所述第一标准单元的高度为所述第二标准单元的高度的整数倍，所述第一标准单元区内部具有若干第一有源区，所述第二标准单元区内部具有若干第二有源区，所述第二标准单元区在所述第二方向的边界处具有边界区域，所述边界区域还沿所述第一方向延伸至所述第一标准单元区和第二标准单元区的交界处，且在所述第一标准单元区和第二标准单元区的内部，所述第一有源区和相邻的第二有源区在第二方向上的边界相齐平，所述第一方向和第二方向相垂直；

确定所述第一标准单元区和第二标准单元区的交界位置；

在所述交界位置处，对所述版图层中的目标图形进行光学邻近修正，用于去除位于所述交界位置处的边界区域中的目标图形。

2.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，所述获取芯片设计版图的步骤中，所述版图层包括标记层，所述标记层中的目标图形为沿所述第二方向延伸的边界标记图形，所述边界标记图形位于所述第一标准单元区和第二标准单元区的交界处，用于标记所述第一标准单元区和第二标准单元区的交界位置；

通过所述标记层中的边界标记图形，确定所述第一标准单元区和第二标准单元区的位置。

3.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，所述获取芯片设计版图的步骤中，所述版图层包括：

第一版图层，所述第一版图层中的目标图形为栅极图形，所述第一标准单元区和第二标准单元区中的栅极图形均沿所述第二方向延伸，并沿所述第一方向平行排列；

第二版图层，位于所述第一版图层的上方，所述第二版图层中的目标图形包括位于所述边界区域中的栅极切段图形，所述栅极切段图形沿所述第一方向延伸，用于在所述第二方向上对所述第二标准单元区中的栅极图形进行切割；

对各个所述版图层中的目标图形进行光学邻近修正的步骤包括：对所述栅极切段图形进行第一光学邻近修正，用于去除位于所述交界位置处的边界区域中的所述栅极切段图形。

4.如权利要求3所述的版图修正方法，其特征在于，所述获取芯片设计版图的步骤中，所述版图层还包括：第三版图层，位于所述第二版图层的上方，所述第三版图层中的目标图形为沿所述第一方向延伸的电源轨道埋层图形，所述电源轨道埋层图形位于所述栅极切段图形内；

对各个所述版图层中的目标图形进行光学邻近修正的步骤包括：对所述电源轨道埋层图形进行第二光学邻近修正，用于去除位于所述交界位置处的边界区域中的所述电源轨道埋层图形。

5.如权利要求4所述的版图修正方法，其特征在于，所述获取芯片设计版图的步骤中，所述版图层还包括：第四版图层，位于所述第三版图层的上方，所述第四版图层中的目标图形包括多个相隔离的接触孔插塞图形，所述接触孔插塞图形位于所述电源轨道埋层图形内并沿所述第一方向平行排列；

对各个所述版图层中的目标图形进行光学邻近修正的步骤包括：对所述接触孔插塞图形进行第三光学邻近修正，用于去除位于所述交界位置处的边界区域中的所述接触孔插塞图形。

6.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，所述获取芯片设计版图的步骤中，所述版图层还包括：第五版图层，位于所述第一版图层的下方，所述第五版图层中的目标图形为鳍部图形，所述鳍部图形沿所述第二方向延伸并沿所述第一方向排列，且在所述第一方向上，所述第一标准单元区中的鳍部图形与所述第二标准单元区中的相邻鳍部图形位于同一直线上。

7.如权利要求6所述的版图修正方法，其特征在于，每一所述第一有源区中的鳍部图形的数量为6个，每一所述第二有源区中的鳍部图形的数量为2个。