[发明专利]一种单片三维集成器件和单片三维集成电路

权利要求书

1.一种单片三维集成器件，其特征在于，包括：叠放设置的第一埋氧层、配置层、第二埋氧层和衬底层；

所述配置层中设有一个或多个电子元件；

所述第一埋氧层远离所述配置层的一侧还设置有金属-氧化物半导体场效应MOSFET器件和配置层电极组；

所述配置层电极组包括一个或多个电极；所述第一埋氧层中设有与所述一个或多个电极一一对应的导电通路；

所述电极通过所述第一埋氧层中与其对应的导电通路连接所述配置层中与所述电极对应的电子元件的一端。

2.根据权利要求1所述的单片三维集成器件，其特征在于，所述配置层中的电子元件的制备工艺温度不小于设定温度。

3.根据权利要求2所述的单片三维集成器件，其特征在于，所述配置层中的电子元件包括二极管、电阻、电容和双极型晶体管中的一种或多种。

4.根据权利要求2所述的单片三维集成器件，其特征在于，所述配置层中设有二极管；

所述配置层电极包括阳极电极和阴极电极；

所述阳极电极通过所述第一埋氧层中与其对应的导电通路连接所述二极管的阳极；

所述阴极电极通过所述第一埋氧层中与其对应的导电通路连接所述二极管的阴极；

所述第二埋氧层中还设有阳极热沉结构；所述阳极热沉结构与所述二极管的阳极相接触。

5.根据权利要求1所述的单片三维集成器件，其特征在于，所述MOSFET器件与所述配置层电极组中的各电极之间均设有浅沟道隔离结构；

所述配置层电极组中的各电极之间均设有浅沟道隔离结构。

6.一种单片三维集成电路，其特征在于，所述三维集成电路包括一个或多个单片三维集成器件；

每一个单片三维集成器件均包括：叠放设置的第一埋氧层、配置层、第二埋氧层和衬底层；

所述配置层中设有一个或多个电子元件；

所述第一埋氧层远离所述配置层的一侧还设置有金属-氧化物半导体场效应MOSFET器件和配置层电极组；

所述配置层电极组包括一个或多个电极；所述第一埋氧层中设有与所述一个或多个电极一一对应的导电通路；

所述电极通过所述第一埋氧层中与其对应的导电通路连接所述配置层中与所述电极对应的电子元件的一端。

7.根据权利要求6所述的单片三维集成电路，其特征在于，所述配置层中的电子元件的制备工艺温度不小于设定温度。

8.根据权利要求7所述的单片三维集成电路，其特征在于，所述配置层中的电子元件包括二极管、电阻、电容和双极型晶体管中的一种或多种。

9.根据权利要求7所述的单片三维集成电路，其特征在于，所述一个或多个单片三维集成器件中至少包括一个或多个散热三维集成器件，所述散热三维集成器件的配置层中设有二极管；

所述配置层电极包括阳极电极和阴极电极；

所述阳极电极通过所述第一埋氧层中与其对应的导电通路连接所述二极管的阳极；

所述阴极电极通过所述第一埋氧层中与其对应的导电通路连接所述二极管的阴极；

所述第二埋氧层中还设有阳极热沉结构；所述阳极热沉结构与所述二极管的阳极相接触。

10.根据权利要求6所述的单片三维集成电路，其特征在于，每一个单片三维集成器件中，所述MOSFET器件与所述配置层电极组中的各电极之间均设有浅沟道隔离结构；所述配置层电极组中的各电极之间均设有浅沟道隔离结构。