[发明专利]一种单片三维集成器件和单片三维集成电路

说明书

本发明涉及三维集成电路技术领域，具体涉及一种单片三维集成器件和单片三维集成电路。该单片三维集成器件中，配置层中设有一个或多个电子元件；第一埋氧层远离配置层的一侧还设置有金属‑氧化物半导体场效应MOSFET器件和配置层电极组；配置层电极组包括一个或多个电极；第一埋氧层中设有与一个或多个电极一一对应的导电通路；电极通过第一埋氧层中与其对应的导电通路连接配置层中与电极对应的电子元件的一端。本发明提供的单片三维集成器件采用单片堆叠方式，继承了SOI技术，提高了电路的集成度，同时单片三维集成器件设有两层埋氧层实现双层隔离，能够有效抑制衬底层对MOSFET器件的影响，从而提高了三维集成电路的可靠性。

技术领域

本发明涉及三维集成电路技术领域，具体涉及一种单片三维集成器件和单片三维集成电路。

背景技术

为进一步提高集成电路的集成度，以降低集成电路的功耗，并提高其处理能力，将多个器件层堆叠成三维集成电路已经成为继续改进集成电路的处理能力和功耗的潜在方法。随着集成电路的集成度不断提高，电子元件间的距离不断减小，极大影响三维集成电路的可靠性。

因此，如何提高三维集成电路的可靠性，是目前亟需解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种单片三维集成器件和单片三维集成电路，以提高三维集成电路的可靠性。

为实现上述目的，本发明实施例提供了以下方案：

第一方面，本发明实施例提供一种单片三维集成器件，包括：叠放设置的第一埋氧层、配置层、第二埋氧层和衬底层；

所述配置层中设有一个或多个电子元件；

所述第一埋氧层远离所述配置层的一侧还设置有金属-氧化物半导体场效应MOSFET器件和配置层电极组；

所述配置层电极组包括一个或多个电极；所述第一埋氧层中设有与所述一个或多个电极一一对应的导电通路；

所述电极通过所述第一埋氧层中与其对应的导电通路连接所述配置层中与所述电极对应的电子元件的一端。

在一种可能的实施例中，所述配置层中的电子元件的制备工艺温度不小于设定温度。

在一种可能的实施例中，所述配置层中的电子元件包括二极管、电阻、电容和双极型晶体管中的一种或多种。

在一种可能的实施例中，所述配置层中设有二极管；

所述配置层电极包括阳极电极和阴极电极；

所述阳极电极通过所述第一埋氧层中与其对应的导电通路连接所述二极管的阳极；

所述阴极电极通过所述第一埋氧层中与其对应的导电通路连接所述二极管的阴极；

所述第二埋氧层中还设有阳极热沉结构；所述阳极热沉结构与所述二极管的阳极相接触。

在一种可能的实施例中，所述MOSFET器件与所述配置层电极组中的各电极之间均设有浅沟道隔离结构；所述配置层电极组中的各电极之间均设有浅沟道隔离结构。

第二方面，本发明实施例提供一种单片三维集成电路，所述三维集成电路包括一个或多个单片三维集成器件；

每一个单片三维集成器件均包括：叠放设置的第一埋氧层、配置层、第二埋氧层和衬底层；

所述配置层中设有一个或多个电子元件；

所述第一埋氧层远离所述配置层的一侧还设置有金属-氧化物半导体场效应MOSFET器件和配置层电极组；

所述配置层电极组包括一个或多个电极；所述第一埋氧层中设有与所述一个或多个电极一一对应的导电通路；