[发明专利]一种微流控装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 202110130018.3 申请日: 2021-01-29
公开(公告)号: CN112892626B 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: 李伟;林柏全;席克瑞;王林志;贾振宇 申请(专利权)人: 上海天马微电子有限公司
主分类号: B01L3/00 分类号: B01L3/00
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 201201 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 微流控 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种微流控装置,其特征在于,包括:

微流控基板,所述微流控基板包括衬底基板、位于所述衬底基板上的电极阵列层以及疏水层,所述电极阵列层包括多个呈阵列排布的电极;

微流控结构层,所述微流控结构层包括至少一个微流控通道;

所述微流控基板用于根据所述微流控通道对所述电极施加电压,驱动所述微流控通道内液滴移动;

所述微流控结构层可拆卸的键合在所述疏水层上;所述疏水层可拆卸的粘接在所述电极阵列层上;

所述微流控结构层的至少一侧边缘设置有剥离结构。

2.根据权利要求1所述的微流控装置,其特征在于,所述微流控结构层的组成材料包括高分子聚合物。

3.根据权利要求2所述的微流控装置,其特征在于,所述微流控结构层采用等离子表面键合工艺键合在所述疏水层上。

4.根据权利要求1所述的微流控装置,其特征在于,在垂直于所述微流控基板的方向上,

所述剥离结构与所述疏水层之间存在间隙,和/或,所述剥离结构在所述微流控基板上的正投影与所述疏水层不交叠且相邻设置。

5.根据权利要求1所述的微流控装置,其特征在于,所述疏水层的组成材料包括高分子聚合物。

6.根据权利要求5所述的微流控装置,其特征在于,所述疏水层采用等离子表面键合工艺键合在所述电极阵列层上。

7.根据权利要求1所述的微流控装置,其特征在于,所述疏水层的至少一侧边缘设置有剥离结构;

在垂直于所述微流控基板的方向上,所述剥离结构在所述微流控基板上的正投影与所述电极阵列层不交叠。

8.根据权利要求1所述的微流控装置,其特征在于,所述微流控结构层为PDMS结构层或PC结构层;或者,所述疏水层为PDMS结构层或PC结构层。

9.根据权利要求1所述的微流控装置,其特征在于,所述微流控结构层包括多个间隔设置的微流控通道,相邻两个所述微流控通道之间的最小间隙在所述电极阵列层上的正投影覆盖至少一个所述电极;

所述微流控基板用于根据每个所述微流控通道分别对所述电极施加电压,驱动各所述微流控通道内液滴分时或同时移动。

10.一种微流控装置的制造方法,其特征在于,包括:

提供一第一基板,所述第一基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的电极阵列层,所述电极阵列层包括多个呈阵列排布的电极;

在所述电极阵列层上形成第一疏水层和第一微流控结构层,所述第一微流控结构层包括至少一个微流控通道;

微流控结构层可拆卸的键合在第一疏水层上;所述疏水层可拆卸的粘接在所述电极阵列层上;

所述微流控结构层的至少一侧边缘设置有剥离结构。

11.根据权利要求10所述的制造方法,其特征在于,提供一第一基板之前,还包括:

剥离所述第一基板上原有的第二微流控结构层;

再通过溶剂清洗或采用剥离手段去除所述电极阵列层上原有的第二疏水层。

12.根据权利要求10所述的制造方法,其特征在于,提供一第一基板之前,还包括:

剥离所述电极阵列层上原有的第二疏水层,使所述第二疏水层和原有的第二微流控结构层同步与所述电极阵列层剥离。

13.根据权利要求10所述的制造方法,其特征在于,在所述电极阵列层上形成第一疏水层和第一微流控结构层包括:

在所述电极阵列层上,采用涂覆工艺形成所述第一疏水层,或者,贴合一疏水层贴膜以形成所述第一疏水层;

再将所述第一微流控结构层键合在所述第一疏水层上。

14.根据权利要求10所述的制造方法,其特征在于,在所述电极阵列层上形成第一疏水层和第一微流控结构层包括:

键合所述第一疏水层和所述第一微流控结构层;

再将所述第一疏水层粘接在所述电极阵列层上。

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